Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V_(ds) and are 100% tested gate resistance(R_g). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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SI2374DS-T1-GE3
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SI2305CDS-T1-GE3
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SI2309CDS-T1-E3
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TrenchFET

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SI2333CDS-T1-E3
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SI2333CDS-T1-E3

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TrenchFET

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SI2343CDS-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SOT-23

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- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

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1 Channel

8 V

6 A

17 mOhms

- 5 V, 5 V

800 mV

6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

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SOT-23-3

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1 Channel

40 V

4.3 A

51 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

3.8 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

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400 mV

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SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

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Recursos

Soporte

530 mA
690 mA
1.15 A
1.6 A
2.17 A
2.3 A
2.6 A
2.7 A
2.9 A
3.1 A
3.16 A
3.5 A
3.6 A
3.8 A
4.3 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.2 A
5.3 A

17 mOhms
23 mOhms
26.5 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
31.8 mOhms
33 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
36 mOhms
39 mOhms
42 mOhms
45 mOhms
47 mOhms
51 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
61 mOhms
66 mOhms

2 nC
2.7 nC
2.9 nC
3 nC
3.2 nC
3.3 nC
3.5 nC
3.8 nC
4 nC
4.1 nC
4.2 nC
6 nC
6.7 nC
6.9 nC
7 nC
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9 nC
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