Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
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OptiMOS
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TSDSON-8
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DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS
BSC0909NS
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TDSON-8
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OptiMOS
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BSZ019N03LS
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15,000 En pedido
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5,000 Se espera el 02/11/2027
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10
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$0.587
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
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149 A
2 mOhms
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+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8
BSZ042N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.86
20,000 Se espera el 01/07/2027
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726-BSZ042N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8
20,000 Se espera el 01/07/2027
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1
$1.86
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$0.616
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Mult.: 1
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5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
98 A
4.9 mOhms
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+ 150 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
IRF6717MTRPBF
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1:
$4.35
4,797 Se espera el 07/23/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRF6717MTRPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
4,797 Se espera el 07/23/2026
1
$4.35
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$2.85
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$1.78
1,000
Ver
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$1.55
1,000
$1.65
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$1.55
4,800
$1.55
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Mult.: 1
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4,800
Detalles
Si
SMD/SMT
DirectFET-MX
N-Channel
1 Channel
25 V
220 A
1.6 mOhms
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1.8 V
46 nC
- 40 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
DirectFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ0502NSIATMA1
Infineon Technologies
1:
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0502NSIATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
1
$1.97
10
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$0.80
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1,000
Ver
5,000
$0.432
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$0.538
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5,000
$0.432
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
2.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
43 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ060NE2LS
Infineon Technologies
5,000:
$0.225
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ060NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
40 A
6.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
9.1 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Infineon Technologies IPP020N06NXKSA1
IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies
500:
$1.90
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
120 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
106 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
$3.17
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
1
$3.17
10
$2.04
100
$1.40
500
$1.14
1,000
Ver
1,000
$1.06
2,500
$1.02
5,000
$0.99
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
69 A
4 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
38 nC
- 55 C
+ 175 C
36 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC010NE2LS
Infineon Technologies
5,000:
$0.586
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC010NE2LS
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Embalaje alternativo
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC018NE2LSIXT
Infineon Technologies
5,000:
$0.48
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC018NE2LSIATMA
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
48 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS
BSZ018NE2LSIXT
Infineon Technologies
5,000:
$0.725
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018NE2LSIATMA
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
153 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel