Etapa de potencia de medio puente GaN de 80 V LMG5200

La etapa de potencia de medio puente GaN de 80 V LMG5200 de Texas Instruments proporciona una solución de etapa de potencia integrada utilizando FET con nitruro de galio (GaN) en modo de mejora. El dispositivo consiste en dos FET GaN de 80 V que están impulsados por un controlador FET GaN de alta frecuencia en una configuración de medio puente. Los FET GaN ofrece ventajas significativas para la conversión de potencia, ya que cuentan con recuperación inversa casi nula y C_ISS con capacitancia de entrada muy pequeña. Todos los dispositivos están montados en una plataforma con paquete libre de alambre de conexión, con una cantidad mínima de elementos parásitos en el paquete. Las entradas compatibles con la lógica TTL pueden resistir voltajes de entrada de hasta 12 V, sin importar el voltaje V_CC. La técnica patentada de fijación de voltaje de arranque garantiza que los voltajes de puerta de los FET GaN en modo de mejora se encuentren dentro de un rango operativo seguro.