Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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SOT-23-3
N-Channel
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50 V
500 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
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SOT-23-3
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50 V
500 mA
1.6 Ohms
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
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50 V
360 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
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SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
500 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
600 pC
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540 mW
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
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50 V
500 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
600 pC
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
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Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
50 V
360 mA
2 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
1.2 nC
- 55 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
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21,000 Se espera el 06/25/2027
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621-DMN53D0LW-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
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21,000 Se espera el 06/25/2027
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
50 V
360 mA
2 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
1.2 nC
- 55 C
+ 150 C
420 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
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DMN53D0U-7
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1:
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
56,490 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0U-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
56,490 En pedido
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17,490 Se espera el 02/12/2027
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$0.227
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$0.146
500
$0.102
1,000
$0.09
3,000
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Mult.: 1
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3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
300 mA
2 Ohms
- 12 V, 12 V
400 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
520 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
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DMN53D0LDW-13
Diodes Incorporated
1:
$0.33
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
18,484 Se espera el 06/24/2026
N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LDW-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
18,484 Se espera el 06/24/2026
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10,000
$0.085
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,620
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10,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
50 V
360 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
310 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
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DMN53D0U-13
Diodes Incorporated
1:
$0.44
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0U-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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$0.44
10
$0.299
100
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10,000
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5,000
$0.078
10,000
$0.052
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
10,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
300 mA
2 Ohms
- 12 V, 12 V
400 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
520 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel