Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications. These modules are available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These Infineon MOSFETs are ideal for fuel injection systems, in-vehicle wireless charging applications, and the C0₂ emission-reducing 48V power subsystem known as Board Net.

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Resultados: 64

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6

IPB180N10S402ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.00
613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N10S402ATMA1

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726-IPB180N10S402ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6

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613En existencias

Cinta cortada

$6.00

$4.15

$3.00

$2.99

Envase tipo carrete

$2.43

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

IPB80N08S2-07
Infineon Technologies
1: $5.11
1,263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N08S2-07

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N08S207

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

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Cinta cortada

$5.11

$3.84

$2.76

Envase tipo carrete

$2.44

$2.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPD60N10S412ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.61
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IPD60N10S412ATMA1

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726-IPD60N10S412ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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Cinta cortada

$1.61

$1.17

$0.837

$0.696

Envase tipo carrete

$0.567

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPD90N10S406ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.74
2,614En existencias

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IPD90N10S406ATMA1

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726-IPD90N10S406ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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2,614En existencias

Cinta cortada

$2.74

$1.78

$1.27

$1.05

$1.04

Envase tipo carrete

$0.852

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB35N10S3L26ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.45
2,810En existencias
NRND

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IPB35N10S3L26ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB35N10S3L26ATM

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

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$2.45

$1.48

$1.29

$1.10

Envase tipo carrete

$0.98

$0.912

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

20.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3-12
Infineon Technologies
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725En existencias
NRND

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IPB70N10S3-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312

NRND

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$3.75

$2.44

$1.91

$1.60

Envase tipo carrete

$1.37

$1.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD35N10S3L-26
Infineon Technologies
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3,832En existencias
NRND

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IPD35N10S3L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPD35N10S3L26

NRND

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$2.32

$1.48

$1.03

$0.868

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$0.668

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MouseReel Disponible

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD35N10S3L26ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.02
1,440En existencias
NRND

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IPD35N10S3L26ATMA1

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726-IPD35N10S3L26ATM

NRND

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$1.02

$0.799

$0.742

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$0.618

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD70N10S3-12
Infineon Technologies
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NRND

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IPD70N10S3-12

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726-IPD70N10S312

NRND

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$3.07

$2.04

$1.49

$1.27

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$1.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

11.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD70N10S3L-12
Infineon Technologies
1: $3.11
6,575En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N10S3L-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N10S3L12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

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Cinta cortada

$3.11

$2.03

$1.41

$1.14

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$1.05

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N012ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.79
4,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N012ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS300N08S5N012

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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4,648En existencias

Cinta cortada

$5.79

$4.37

$3.54

$3.14

$2.69

Envase tipo carrete

$2.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

231 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.40
1,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT240N08S5N019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT240N08S5N019

Infineon Technologies

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Hoja de datos

1,133En existencias

Cinta cortada

$4.40

$2.93

$2.07

$2.00

$1.94

Envase tipo carrete

$1.55

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

240 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.16
675En existencias
1,900Se espera el 04/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUT260N10S5N019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT260N10S5N01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

675En existencias

1,900Se espera el 04/02/2026

Cinta cortada

$5.16

$3.42

$2.72

$2.41

$2.07

Envase tipo carrete

$1.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

260 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
1: $4.83
1,294En existencias
4,000Se espera el 02/23/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N08S5N012ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

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Hoja de datos

1,294En existencias

4,000Se espera el 02/23/2026

Cinta cortada

$4.83

$3.86

$3.12

$2.78

$2.38

Envase tipo carrete

$2.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

231 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.10
3,522En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N08S5N014ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N014

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

3,522En existencias

Cinta cortada

$5.10

$3.39

$2.74

$2.44

$2.09

Envase tipo carrete

$2.09

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

187 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N10S4L22ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.16
5,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L22ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L22ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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Hoja de datos

5,254En existencias

Cinta cortada

$2.16

$1.33

$0.966

$0.808

Ver

Envase tipo carrete

$0.653

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

AUIRF7769L2TR
Infineon Technologies
1: $7.79
1,007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AUIRF7769L2TR

N.º de artículo de Mouser
942-AUIRF7769L2TR

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

1,007En existencias

Cinta cortada

$7.79

$6.82

$6.01

$5.52

Envase tipo carrete

$4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

DirectFET-L8

N-Channel

1 Channel

100 V

124 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPD30N10S3L34ATMA2
Infineon Technologies
1: $1.98
2,087En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N10S3L34ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N10S3L34AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

2,087En existencias

Cinta cortada

$1.98

$1.27

$0.852

$0.677

Envase tipo carrete

$0.541

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPB120N10S403ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.82
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N10S403ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S403ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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Hoja de datos

428En existencias

Cinta cortada

$4.82

$3.20

$2.28

$2.14

Envase tipo carrete

$1.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 22A DPAK-2 OptiMOS

IPD22N08S2L-50
Infineon Technologies
1: $2.09
1,294En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD22N08S2L-50

N.º de artículo de Mouser
726-IPD22N08S2L-50

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 22A DPAK-2 OptiMOS

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Hoja de datos

1,294En existencias

Cinta cortada

$2.09

$1.34

$0.907

$0.722

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Envase tipo carrete

$0.559

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

22 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

IPD50N08S4-13
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

50 A

11.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

72 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 60A DPAK-2

IPD60N10S4L12ATMA1
Infineon Technologies
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IPD60N10S4L12ATMA1

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726-IPD60N10S4L12ATM

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

9.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

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AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD30N10S3L34ATMA1
Infineon Technologies
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NRND

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IPD30N10S3L34ATMA1

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726-IPD30N10S3L34ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

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AEC-Q100

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IPG20N10S4L22AATMA1
Infineon Technologies
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IPG20N10S4L22AATMA1

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726-20N10S4L22AATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N10S5N040ATMA1
Infineon Technologies
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IAUC100N10S5N040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N10S5N040

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

16 A
20 A
22 A
30 A
35 A
50 A
60 A
70 A
80 A
90 A
100 A
114 A
120 A
124 A
150 A
165 A
180 A
200 A
240 A
260 A

1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.5 mOhms
3.7 mOhms
4.4 mOhms
4.5 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
5.6 mOhms
5.8 mOhms

7 nC
9.4 nC
13.4 nC
17.4 nC
24 nC
27 nC
30 nC
33 nC
34 nC
39 nC
49 nC
51 nC
56 nC
57 nC
59 nC
60 nC
64 nC
66 nC
67 nC
68 nC

29 W
43 W
57 W
60 W
71 W
72 W
75 W
94 W
100 W
125 W
136 W
144 W
166 W
167 W
190 W
200 W
230 W
250 W
278 W
300 W