DFN0606 Trench MOSFETs

Nexperia DFN0606 Trench MOSFETs are designed to utilize Trench MOSFET technology to provide low threshold voltage and very fast switching. These Nexperia MOSFETs feature electrostatic discharge (ESD) protection and are available in a leadless ultra-small DFN0606-3 (SOT8001) surface-mount (SMD) plastic package. Typical applications include mobile phones, wearable and portable devices, mobile phone accessories, headsets, earphones, and hearing aids.

Resultados: 11
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 30V .6A
Hoja de datos
246En existencias
10,000Se espera el 04/02/2027
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 30 V 600 mA 1 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 600 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 60V .35A
Hoja de datos
98,027Se espera el 04/02/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 60 V 350 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 1 nC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 60V .38A
Hoja de datos
29,624Se espera el 04/02/2027
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 60 V 380 mA 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 500 pC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 50V .38A
Hoja de datos
20,000Se espera el 04/02/2027
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 50 V 350 mA 2.8 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 470 pC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 30V .52A
Hoja de datos
39,664Se espera el 04/02/2027
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 30 V 520 mA 1.6 Ohms - 10 V, 10 V 950 mV 400 pC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 20V 1.2A
Hoja de datos
9,692Se espera el 04/02/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.2 A 310 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 630 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 30V .9A
Hoja de datos
20,000Se espera el 04/02/2027
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 30 V 900 mA 460 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 620 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 30V .77A
Hoja de datos
10,000Se espera el 04/02/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 30 V 770 mA 670 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 400 pC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 20V .8A
Hoja de datos
29,929Se espera el 04/02/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 640 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 600 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 20V .8A
Hoja de datos
19,970Se espera el 04/02/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 620 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 310 pC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 20V .53A
Hoja de datos
20,000Se espera el 04/02/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 20 V 530 mA 1.4 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 290 pC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel