DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs

Diode Inc. DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (RDS(ON)). They maintain superior switching performance, making them ideal for high-efficiency power management applications. The DMN31D5UFZ and DMN2990UFZ are N-Channel enhancement mode MOSFETs and the DMP32D9UFZ is a P-Channel Enhancement Mode MOSFET.

Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET 5,801En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 25 V, 30 V 400 mA, 2.6 A 4 Ohms, 300 mOhms - 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V 650 mV, 500 mV 700 pC, 21 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W 50,957En existencias
50,000Se espera el 06/19/2026
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT X2-DFN0606-3 N-Channel 1 Channel 30 V 220 mA 4.5 Ohms - 12 V, 12 V 1 V 350 pC - 55 C + 150 C 393 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 30V Comp Pair 23,439En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 7 A, 8.5 A 21 mOhms, 39 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V, 2.2 V 16.1 nC, 21.1 nC - 55 C + 100 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 40Vdss 20Vgss 3,777En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 8.8 A, 12.2 A 15 mOhms, 29 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 40 nC, 34 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET Dual .25A .32W 389pF 10,161En existencias
10,000Se espera el 05/11/2026
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT X2-DFN0606-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 990 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET 9,322En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 25 V, 12 V 500 mA, 3.5 A 4 Ohms, 100 mOhms - 8 V, 8 V 650 mV, 350 mV 900 pC, 24.5 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 30V 0.35VnC Enh Mode FET -0.2A 10,000En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT X2-DFN0606-3 P-Channel 1 Channel 30 V 200 mA 10 Ohms - 10 V, 10 V 1 V 350 pC - 55 C + 150 C 390 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
: 10,000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 Reel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
: 10,000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 Reel