Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Toshiba Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs is an extensive lineup of Power MOSFETs covering various automotive applications in 12V to 48V battery systems. Toshiba has been in the discrete automotive industry since the 1960s, starting with rectifiers and then Automotive MOSFETs in the 1990s. With performance and reliability, all of Toshiba’s automotive products go above and beyond AEC-Q101 standards.

Resultados: 39
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4,039En existencias
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: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 60 A 11.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 156 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4,400En existencias
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: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 76 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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812En existencias
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: 1,000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 214 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4,986En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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2,064En existencias
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: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 36.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 57 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1,303En existencias
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: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 7 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7.1 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1,442En existencias
6,000En pedido
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: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 15 A 50 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 36 nC + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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705En existencias
10,000En pedido
Min.: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 20 A 22.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 37 nC + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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594En existencias
Min.: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 6.3 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 125 nC + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1,357En existencias
4,000Se espera el 09/11/2026
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: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 172 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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220En existencias
2,000Se espera el 10/01/2026
Min.: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 26 nC + 175 C 88.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1,240En existencias
5,000Se espera el 07/10/2026
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: 5,000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.6 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 64 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4,000Se espera el 10/16/2026
Min.: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 55 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 49 nC + 175 C 157 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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9,681Se espera el 07/10/2026
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: 5,000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape