Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A TSMT5

QS5U13TR
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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A TSMT5

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A

QS5U16TR
ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A

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US5U1TR
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QS5U36TR
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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+ 150 C

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$0.264

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QS5U27TR
ROHM Semiconductor
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QS5U27TR

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755-QS5U27TR

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

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$0.279

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chan20V1.5A Load Switching

QS5U34TR
ROHM Semiconductor
1: $0.82
2,980En existencias

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QS5U34TR

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755-QS5U34TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chan20V1.5A Load Switching

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$0.194

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SOT-25T-5

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1.5 A

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1.3 V

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QS5U21TR
ROHM Semiconductor
3,000: $0.277
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N.º de artículo del Fabricante
QS5U21TR

N.º de artículo de Mouser
755-QS5U21TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

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$0.277

$0.266

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Mult.: 3,000

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SMD/SMT

SOT-25T-5

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

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- 12 V, 12 V

2 V

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1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

QS5U26TR
ROHM Semiconductor
1: $1.02
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
QS5U26TR

N.º de artículo de Mouser
755-QS5U26TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

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$1.02

$0.633

$0.413

$0.318

$0.287

Envase tipo carrete

$0.23

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-25T-5

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

200 mOhms

- 12 V, 12 V

2 V

4.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 1.4A

US5U2TR
ROHM Semiconductor
1: $1.04
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
US5U2TR

N.º de artículo de Mouser
755-US5U2TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 1.4A

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$1.04

$0.649

$0.423

$0.326

Envase tipo carrete

$0.251

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Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-353T-5

N-Channel

1 Channel

30 V

1.4 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive

US5U35TR
ROHM Semiconductor
3,000: $0.282
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
US5U35TR

N.º de artículo de Mouser
755-US5U35TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

$0.282

$0.272

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-353T-5

P-Channel

1 Channel

45 V

700 mA

800 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel

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