TPH1400CQ5 Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TPH1400CQ5 Silicon N-Channel MOSFETs feature an 8-pin SMT power MOSFET designed with a U-MOSX-H generation Trench process. The MOSFETs offer improved reverse recovery characteristics, including a fast 36ns reverse recovery time and a 27nC typical reverse recovery charge. The TPH1400CQ5 series reduces power loss in switching power supplies, which increases efficiency in synchronous rectification applications. The Toshiba TPH1400CQ5 Silicon N-Channel MOSFETs provide low drain-source on-resistance and low leakage current ratings, making them ideal for various power and industrial applications. Typical applications include high-efficiency DC/DC converters, switching voltage regulators, motor drivers, data centers, and communication base systems.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 11.1mohm
Hoja de datos
9,980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 2 Channel 150 V 90 A 11.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 38 nC + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 14.1mohm
Hoja de datos
4,995En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 77 A 14.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape