LSK189 Ultra Low Noise Single N-Channel JFETs

Linear Integrated Systems LSK189 Ultra Low Noise Single N-Channel JFETs are ideal for ultra-low-noise audio/acoustic applications. With an -55°C to +150°C operating junction temperature range, the LSK189 JFETs feature 1.8nV/√Hz typical noise, a low 4pF typical input capacitance, and 300mW maximum continuous power dissipation. The LSK189 single N-channel JFETs are available in RoHS-compliant TO-92 or SOT-23 packages.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Hoja de datos
241En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Hoja de datos
56En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Reel