Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification. 

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 Amps 1500V
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398En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
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413En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Módulos MOSFET 100Amps 200V
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258En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Standard Linear Power MOSFET
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196En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 500V 0.30 Ohms Rds
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295En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V
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510En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Módulos MOSFET 8 Amps 1500V
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253En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
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282En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V
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378En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N-CH 75V 140A
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26En existencias
300Se espera el 06/01/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 500V
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215En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 62 Amps 500V 0.1 Rds
Hoja de datos
198En existencias
300Se espera el 06/01/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Módulos MOSFET 44 Amps 500V
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265En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds
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987En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V
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3,778En existencias
1,440Se espera el 07/13/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA
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2,805En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 500V
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685En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET Linear L2 Pwr MOSFET w/Extended FBSOA
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595En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 22 Amps 1000V
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759En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Standard Linear Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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2,287En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) L2 Linear Power MOSFET
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1,100En existencias
2,880En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 15A N-CH LINEAR
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378En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 64A N-CH LINEAR
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1,340En existencias
2,950En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) L2 Linear Power MOSFET
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539En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30.0 Amps 500V 0.002 Rds
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266En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3