MOSFET de canal N NextPower PSMNxRx-80YSF

Los MOSFET de canal N NextPower PSMNxRx-80YSF de Nexperia son controladores de puerta MOSFET de nivel estándar de 80 V. Estos MOSFET ofrecen un bajo nivel de Qrr para obtener una mayor eficiencia y reducir los picos. Los dispositivos PSMNxRx-80YSF ofrecen un bajo Q G × R DSon FOM para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Las aplicaciones típicas incluyen control de motores BLDC, adaptadores USB-PD, conmutador lateral primario en CC-CC y rectificador sincrónico en CA-CC y CC-CC.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R6-80YSF/SOT1023/4 LEADS 313En existencias
3,000Se espera el 03/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 80 V 231 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 85 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK 2,568En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement