Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
DMG1013UW-7
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Si
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SOT-323-3
P-Channel
1 Channel
20 V
820 mA
750 mOhms
6 V
500 mV
622.4 pC
- 55 C
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SOT-323-3
P-Channel
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20 V
820 mA
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6 V
1 V
622.4 pC
- 55 C
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
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Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
845 mA, 1.066 A
450 mOhms, 750 mOhms
6 V
500 mV
736.6 nC, 622.4 pC
- 55 C
+ 150 C
330 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel