PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

Resultados: 6
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMDXB950UPEL/SOT1216/DFN1010B-
Hoja de datos
4,987En existencias
10,000En pedido
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 P-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 5 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMDXB600UNE/SOT1216/DFN1010B-6
Hoja de datos
24,993Se espera el 02/08/2027
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 N-Channel 2 Channel 20 V 600 mA 3 Ohms, 3 Ohms - 8 V, 8 V 450 mV 400 pC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1216 2NCH 30V .59A
Hoja de datos
140,000Se espera el 02/08/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 N-Channel 2 Channel 30 V 590 mA 670 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 1.05 nC - 55 C + 150 C 4.03 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMDXB1200UPE/SOT1216/DFN1010B-
Hoja de datos
15,140Se espera el 02/08/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 P-Channel 2 Channel 30 V 410 mA 1.4 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 410 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1216 2NCH 20V .6A
Hoja de datos
9,200Se espera el 02/08/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 N-Channel 2 Channel 20 V 600 mA 470 mOhms, 470 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 700 pC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMDXB950UPE/SOT1216/DFN1010B-6
Hoja de datos
5,000Se espera el 02/08/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 P-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 5 Ohms - 8 V, 8 V 450 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel