QPA2935 2W S-Band GaN Driver Amplifier

Qorvo QPA2935 2W S-Band GaN Driver Amplifier operates from 2.7GHz to 3.5GHz and delivers 33dBm of saturated output power and 18dB of large-signal gain while achieving greater than 52% power-added efficiency. The QPA2935 is fabricated on the QGaN25 0.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is matched to 50Ω with integrated DC blocking caps on both I/O ports.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Frecuencia de trabajo
Voltaje de alimentación operativo
Corriente de suministro operativa
Ganancia
Tipo
Estilo de montaje
Tecnología
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Qorvo Amplificador de RF 2.9-3.5 GHz, 2W S-band MMIC, OVM
Hoja de datos
72En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

2.7 GHz to 3.5 GHz 25 V 29 mA 28.4 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2935 Bag
Qorvo Amplificador de RF 2.9-3.5 GHz, 2W S-band MMIC, OVM
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250

2.7 GHz to 3.5 GHz 25 V 29 mA 28.4 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2935 Reel