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NVMFD5877NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFD5877NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FD5877NLWFT1G-UM
Price: 1.76 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FD5877NLWFT1G-UM

Fabricante N.º:

NVMFD5877NLWFT1G-UM

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	$1.76	$1.76
	$1.11	$11.10
	$0.729	$72.90
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$0.729	$1,093.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	17 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	39 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	11 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	23 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	3.9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	7 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15.8 ns
Serie:	NVMFD5877NL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	11.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.1 ns

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Hoja de datos

NVMFD5877NLWFT1G-UM Hoja de datos

Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Taiwán

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NVMFD5877NL Dual N-Channel MOSFET

onsemi NVMFD5877NL Dual N-Channel MOSFET is designed for compact and efficient designs, including high thermal performance. This n-channel MOSFET offers a wettable flanks option for enhanced optical inspection. The NVMFD5877NL MOSFET features low on-resistance to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. This n-channel MOSFET is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. The NVMFD5877NL MOSFET is suitable for automotive applications such as solenoid drivers and low-side/high-side drivers.