TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III
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7,494En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 40 A 3 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 225 nC - 50 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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13,181En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 92 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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17,086En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 98 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
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2,520En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 33.5 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs TSOP-6
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18,532En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 12 V 8 A 17.5 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 90 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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90,167En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 30 V 12 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 15.6 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-220
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2,933En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 63 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 88 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220
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1,226En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 13.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 96 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC75 P-CH 30V 4.3A
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26,164En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 3,000

Si SMD/SMT SC-75-6 1 Channel 30 V 4.3 A 65 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 1.95 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 35A 52W
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24,473En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 35 A 3.8 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 177 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 20V 7.8A
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20,230En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 20 V 7.8 A 32 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 13.8 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 30V 6.4A
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22,487En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 30 V 6.4 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 5.1A
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7,839En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 5.1 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
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7,813En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 200 V 3.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
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5,539En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level
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9,288En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 23 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
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5,894En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SC-75-6 P-Channel 1 Channel 12 V 9 A 21 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 33 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 85A N-CH MOSFET
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684En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 160 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSSOP8 P-CH 20V 10.3A
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5,311En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSSOP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 12.5 A 9.8 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 112 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
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12En existencias
9,000En pedido
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT MicroFoot-6 P-Channel 1 Channel 20 V 16 A 26 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
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7,602En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 20 V 5.4 A 36 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 27 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
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8,628En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 3.1 A 1.8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 2A N-CH MOSFET
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8,749En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs TO-220
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613En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.47 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 230 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET
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8,940En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 200 V 1.9 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.9 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk