Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC008N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
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ISC008N06LM6ATMA1

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726-ISC008N06LM6ATMA

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: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

378 A

800 uOhms

20 V

2.3 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISZ023N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.75
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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

149 A

2.3 mOhms

20 V

2.3 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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ISZ072N06NM6ATMA1
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$0.487

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

57 A

7.2 mOhms

20 V

3.3 V

12.3 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC025N06LM6ATMA1
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SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

143 A

2.5 mOhms

20 V

2.3 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

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ISC007N06LM6ATMA1
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ISC007N06LM6ATMA1

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726-ISC007N06LM6ATMA

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$2.49

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Mult.: 1

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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ISC007N06NM6ATMA1
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1: $6.83
5,000Se espera el 10/22/2026

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ISC007N06NM6ATMA1

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726-ISC007N06NM6ATMA

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OptiMOS

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ISC009N06NM6SCATMA1
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1: $7.19
4,000Se espera el 08/27/2026
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ISC009N06NM6SCATMA1

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726-ISC009N06NM6SCAT

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344 A

900 uOhms

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