Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 11

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

TK16G60W5,RVQ
Toshiba
1: $4.93
966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16G60W5,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16G60W5RVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

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Hoja de datos

966En existencias

Cinta cortada

$4.93

$3.27

$2.33

$2.20

Envase tipo carrete

$1.79

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

TK16V60W5,LVQ
Toshiba
1: $5.23
2,487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

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Hoja de datos

2,487En existencias

Cinta cortada

$5.23

$3.48

$2.49

$2.38

$2.23

Envase tipo carrete

$2.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

245 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

TK16A60W5,S4VX
Toshiba
1: $3.99
207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16A60W5,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16A60W5S4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

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Hoja de datos

207En existencias

$3.99

$2.38

$1.89

$1.46

$1.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

TK16E60W,S1VX
Toshiba
1: $4.47
77En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

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Hoja de datos

77En existencias

$4.47

$2.29

$2.02

$1.70

$1.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC

TK16A60W,S4VX
Toshiba
1: $3.85
61En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC

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Hoja de datos

61En existencias

$3.85

$1.98

$1.60

$1.43

$1.37

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1 Channel

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK16J60W,S1VE
Toshiba
1: $6.71
74En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16J60W,S1VE

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60WS1VE

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

74En existencias

$6.71

$4.74

$3.28

$3.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

TK16N60W,S1VF
Toshiba
1: $6.43
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16N60W,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK16N60WS1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

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Hoja de datos

17En existencias

$6.43

$3.65

$3.03

$2.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK16J60W5,S1VQ
Toshiba
1: $6.42
73Se espera el 05/29/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK16J60W5,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60W5S1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

73Se espera el 05/29/2026

$6.42

$3.74

$3.09

$2.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

TK16G60W,RVQ
Toshiba
1: $7.96
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK16G60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16G60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

$7.96

$5.42

$4.17

Envase tipo carrete

$3.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

TK16J60W,S1VQ
Toshiba
1: $4.78
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16J60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

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No en existencias

$4.78

$3.83

$3.09

$2.74

$2.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A

TK16V60W,LVQ
Toshiba
2,500: $2.02
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16V60W,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16V60WLVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A

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No en existencias

Envase tipo carrete

$2.02

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

139 W

DTMOSIV

Reel

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