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SIJA22DP-T1-GE3

Name: Vishay SIJA22DP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJA22DP-T1-GE3
Price: 1.9 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

78-SIJA22DP-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIJA22DP-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 25V 64A

Hoja de datos:

SIJA22DP-T1-GE3 Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.90	$1.90
	$1.23	$12.30
	$0.82	$82.00
	$0.658	$329.00
	$0.601	$601.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.532	$1,596.00
	$0.50	$3,000.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	201 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	740 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	83 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	48 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	155 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	39 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Peso de la unidad:	506.600 mg

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiJA22DP N-Channel 25V MOSFET

Vishay / Siliconix SiJA22DP N-Channel 25V MOSFET comes in a PowerPAK SO-8L package with a single configuration design and 25V_DS drain-source voltage. This module features TrenchFET® Gen IV power, tuned for the lowest R_DS to Q_oss FOM, and is 100% R_g and UIS tested. Vishay SiJA22DP N-Channel 25V MOSFET applications are synchronous rectification, high power density DC/DC, battery and load switches, and hot-swap switches.

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.