Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize R_DS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.

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Paquete / Cubierta

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60 V

18 A

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AEC-Q101

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

220 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

220 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

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: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

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Mult.: 12,000

: 12,000

SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

60 V

250 mA

13 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.1 nC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

Enhancement

AEC-Q101

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: 12,000

SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

60 V

250 mA

13 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.1 nC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

Enhancement

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