PSMN1R9 & PSMN2R3 N-Channel MOSFETs

Nexperia PSMN1R9 and PSMN2R3 N-Channel MOSFETs are designed for extreme performance and reliability. The Nexperia PSMN devices are part of Nexperia's Application Specific MOSFETs (ASFETs) lineup. The MOSFETs are specifically engineered for hot-swap and soft-start applications and are qualified to operate at a temperature of up to 175°C. The devices boast low RDSon and enhanced safe operating area performance, making them an ideal choice for demanding power management applications. The MOSFETs copper-clip LFPAK88 package provides high reliability and is robust enough to handle substantial inrush currents during turn-on. With low RDSon and optimized efficiency, the PSMN1R9 and PSMN2R3 are standout solutions for power management systems.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 80V 286A 3,853En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT SOT-1235-4 N-Channel 1 Channel 80 V 286 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 155 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 100V 255A N-CH MOSFET
15,782En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT SOT-1235-4 N-Channel 1 Channel 100 V 255 A 2.28 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 161 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel