1200V E4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V E4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in onboard automotive applications. The E4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The E4MS family provides improved Eon, ERR, and Eoff losses compared to the E3M family of devices, while maintaining a low RDS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of onboard topologies.

Resultados: 12
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Hoja de datos
450Se espera el 09/21/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 186 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 274 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101