Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs

ROHM Semiconductor 600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs utilize original patented technology to accelerate the parasitic diode, achieving ultra-fast reverse recovery characteristics to achieve low power consumption. The PrestoMOS design enables a reduction in power loss of about 58% at light loads when compared with IGBT implementations. Additionally, raising the reference voltage needed to turn ON the MOSFET prevents self-turn-ON, which is one of the main causes of loss. The optimized built-in parasitic diode improves the soft recovery index specific to Super Junction MOSFETs, which reduces noise that can lead to malfunction.

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Resultados: 14

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 39A N-CH MOSFET

R6013VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: $1.82
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
1,893En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6013VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6013VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 39A N-CH MOSFET

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$1.82

$1.60

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 39A N-CH MOSFET

R6013VND3TL1
ROHM Semiconductor
1: $2.18
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5,047En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6013VND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6013VND3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 39A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

$2.18

$1.66

$1.47

$1.42

$1.38

Envase tipo carrete

$1.38

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

131 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 650V 165A N-CH MOSFET

R6055VNZC17
ROHM Semiconductor
1: $6.65
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567En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6055VNZC17

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755-R6055VNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 650V 165A N-CH MOSFET

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$6.65

$6.24

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

99 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 165A N-CH MOSFET

R6055VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: $4.47
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R6055VNXC7G

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755-R6055VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 165A N-CH MOSFET

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2,042En existencias

$4.47

$4.45

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 10A N-CH MOSFET

R6018VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: $3.93
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1,963En existencias

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R6018VNXC7G

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755-R6018VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 10A N-CH MOSFET

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$3.93

$2.11

$1.90

$1.66

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

204 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

61 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET

R6020YNXC7G
ROHM Semiconductor
1: $3.03
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2,029En existencias

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R6020YNXC7G

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755-R6020YNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET

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$3.03

$1.70

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

185 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

62 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET

R6035VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: $3.61
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1,933En existencias

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R6035VNXC7G

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755-R6035VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET

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$3.61

$2.74

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

114 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover

R6077VNZC17
ROHM Semiconductor
1: $9.59
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720En existencias

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R6077VNZC17

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover

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$9.59

$7.75

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Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

51 Ohms

- 30 V, 30 V

6.5 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

113 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 42A N-CH MOSFET

R6014YNXC7G
ROHM Semiconductor
1: $2.89
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2,025En existencias

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R6014YNXC7G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 42A N-CH MOSFET

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2,025En existencias

$2.89

$1.99

$1.72

$1.64

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

260 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 165A N-CH MOSFET

R6055VNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: $7.73
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1,113En existencias

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R6055VNZ4C13

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755-R6055VNZ4C13

ROHM Semiconductor

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$7.73

$7.14

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

55 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

543 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 231A N-CH MOSFET

R6077VNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: $14.22
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
1,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6077VNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6077VNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 231A N-CH MOSFET

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1,190En existencias

$14.22

$8.91

$8.53

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

77 A

51 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

781 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET

R6024VNX3C16
ROHM Semiconductor
1: $5.84
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2,003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024VNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6024VNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET

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2,003En existencias

$5.84

$3.17

$2.89

$2.72

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

153 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET

R6024VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: $5.10
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
1,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6024VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET

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1,969En existencias

$5.10

$2.84

$2.56

$2.36

Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

153 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET

R6035VNX3C16
ROHM Semiconductor
1: $7.41
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
1,000Se espera el 05/01/2026

N.º de artículo del Fabricante
R6035VNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6035VNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

1,000Se espera el 05/01/2026

$7.41

$4.05

$3.71

$3.60

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

114 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

347 W

Enhancement

Tube

600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs

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