Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET

SIHP4N80E-BE3
Vishay / Siliconix
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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

SIHB24N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHB11N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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Enhancement

Tube

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SIHA21N80AE-GE3
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Tube

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SIHB17N80AE-GE3
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SIHB24N65EFT1-GE3
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SIHP12N60E-BE3
Vishay
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SIHP17N80AE-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET

SIHG17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 13A N-CH MOSFET

SIHP15N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET

SIHP22N60AE-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP22N60AE-BE3

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Vishay / Siliconix

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

SIR608DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
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SIR608DP-T1-RE3

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Vishay Semiconductors

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET

SIHU2N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHU2N80AE-GE3

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78-SIHU2N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET

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TO-251-3

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1 Channel

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8A N-CH MOSFET

SIHA22N60AE-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHA22N60AE-GE3

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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SIHA17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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TO-220-3

N-Channel

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800 V

7 A

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Tube

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SIHP14N60E-BE3
Vishay / Siliconix
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13 A

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SIHP15N50E-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP15N50E-BE3

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SIHP17N80E-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP17N80E-BE3

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78-SIHP17N80E-BE3

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15 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

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+ 150 C

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SIHA20N50E-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHA20N50E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA20N50E-GE3

Vishay / Siliconix

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SIHP25N60EFL-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP25N60EFL-BE3

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78-SIHP25N60EFL-BE3

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127 mOhms

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET

SIHP7N60E-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP7N60E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP7N60E-BE3

Vishay / Siliconix

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Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 12A N-CH MOSFET

SIHP11N80E-BE3
Vishay / Siliconix
1: $4.50
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SIHP11N80E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP11N80E-BE3

Vishay / Siliconix

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHK055N60E-T1-GE3
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SMD/SMT

PowerPak-9

N-Channel

1 Channel

600 V

42 A

56 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

236 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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TO-247AC-3

N-Channel

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800 V

21 A

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4 V

59 nC

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208 W

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SIHP12N50E-BE3
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Tube

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Empresa

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2.9 A
4.3 A
5.4 A
7 A
7.5 A
8 A
9 A
10.5 A
12 A
13 A
14.5 A
15 A
17.4 A
19 A
20 A
21 A
23 A
24 A
25 A
26 A

1.2 mOhms
49 mOhms
56 mOhms
82 mOhms
125 mOhms
127 mOhms
145 mOhms
156 mOhms
158 mOhms
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600 mOhms

7 nC
28 nC
29 nC
32 nC
35 nC
40 nC
41 nC
44 nC
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48 nC
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54 nC
59 nC
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66 nC
75 nC
78 nC
81 nC
86 nC