TP65H070G4PS

Renesas Electronics
227-TP65H070G4PS
TP65H070G4PS

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre Renesas Electronics TP65H070G4PS

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Renesas Electronics
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
85 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.7 V
9 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
SuperGaN
Marca: Renesas Electronics
Tiempo de caída: 7.2 ns
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de subida: 6.2 ns
Serie: Gen IV SuperGaN
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tiempo de retardo de apagado típico: 56 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 43.4 ns
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
Filipinas
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET

Renesas Electronics TP65H070G4PS 650V SuperGaN® Gallium Nitride (GaN) FET is a 650V, 70mΩ normally-off device offering superior quality and performance. The TP65H070G4PS combines high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies in a three-lead TO-220 package. Operating within a -55°C to +150°C temperature range, this component features 26W maximum power dissipation, an 18.4A to 29A maximum continuous drain current range, and 120A pulsed drain current (maximum). The Gen IV SuperGaN platform from Renesas Electronics uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

En existencias: 858

Existencias:
858 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$8.42 $8.42
$4.57 $45.70
$4.19 $419.00
$3.54 $1,770.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
$3.35 $3,350.00

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.