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FDC642P-F085PBK

Name: onsemi FDC642P-F085PBK
Brand: onsemi
SKU: 863-FDC642P-F085PBK
Price: 0.49 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FDC642P-F085PBK

Fabricante N.º:

FDC642P-F085PBK

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMOS SSOT6 20V 65 MOHM

Ciclo de vida:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.227	$681.00
	$0.215	$1,290.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SSOT-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	65 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	6.9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	KR
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	9.6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	10 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.5 ns
Serie:	FDC642P_F085
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	23.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.3 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FDC642P-F085 Small Signal MOSFET

onsemi FDC642P-F085 Small Signal MOSFET offers a high-performance trench technology for extremely low R_DS(on)and fast switching speed. This MOSFET features a typical low gate charge of 6.9nC, a drain-to-source voltage of -20V, a gate-to-source voltage of ±8V, and a power dissipation of 1.2W. The FDC642P-F085 small signal MOSFET is available in a SUPERSOT™-6 package, featuring a 72% smaller footprint than the standard SO-8 and a 1mm thick, low-profile design. This small-signal MOSFET is Pb-free, RoHS compliant, AEC-Q101 qualified, and PPAP capable. Typical applications include a load switch, battery protection, and power management.