Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 49

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP055N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $2.30
3,987En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP055N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP055N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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3,987En existencias

$2.30

$1.12

$0.997

$0.861

$0.671

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

IRLHS6242TRPBF
Infineon Technologies
1: $1.09
8,624En existencias
16,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6242TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6242TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

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8,624En existencias

16,000En pedido

Cinta cortada

$1.09

$0.618

$0.414

$0.328

Ver

Envase tipo carrete

$0.234

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 4,000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

1 Channel

20 V

22 A

11.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

9.6 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.48
106,547En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLML0030TRPBF

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942-IRLML0030TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

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106,547En existencias

Cinta cortada

$0.48

$0.293

$0.185

$0.139

Envase tipo carrete

$0.103

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.3 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg

IRLML0040TRPBF
Infineon Technologies
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85,177En existencias
231,000En pedido

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IRLML0040TRPBF

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942-IRLML0040TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg

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85,177En existencias

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Cinta cortada

$0.52

$0.233

$0.204

$0.153

Envase tipo carrete

$0.115

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

3.6 A

78 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC

IRLML2030TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.42
42,092En existencias
36,000En pedido

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IRLML2030TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML2030TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC

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42,092En existencias

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Cinta cortada

$0.42

$0.255

$0.161

$0.12

Envase tipo carrete

$0.089

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2.7 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl

IRLML6246TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.48
75,522En existencias
60,000En pedido

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IRLML6246TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6246TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl

Hoja de datos

75,522En existencias

60,000En pedido

Cinta cortada

$0.48

$0.297

$0.188

$0.141

Envase tipo carrete

$0.105

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4.1 A

46 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable

IRLML6346TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.54
35,310En existencias
240,000Se espera el 02/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRLML6346TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6346TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable

Hoja de datos

35,310En existencias

240,000Se espera el 02/04/2027

Cinta cortada

$0.54

$0.333

$0.21

$0.157

Envase tipo carrete

$0.117

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.4 A

63 mOhms

- 12 V, 12 V

800 mV

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC

IRLR8726TRPBF
Infineon Technologies
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12,641En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLR8726TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLR8726TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC

Hoja de datos

12,641En existencias

Cinta cortada

$1.63

$1.03

$0.685

$0.538

Envase tipo carrete

$0.449

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

86 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable

IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.67
12,429En existencias
15,000Se espera el 08/20/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLTS6342TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLTS6342TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable

Hoja de datos

12,429En existencias

15,000Se espera el 08/20/2026

Cinta cortada

$0.67

$0.414

$0.265

$0.201

Envase tipo carrete

$0.153

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8.3 A

17.5 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg

IRLB8743PBF
Infineon Technologies
1: $2.08
4,777En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRLB8743PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLB8743PBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg

Hoja de datos

4,777En existencias

$2.08

$1.33

$0.90

$0.716

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

78 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

HEXFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET

IRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.94
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
7,855En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6276TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6276TRPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET

Hoja de datos

7,855En existencias

Cinta cortada

$0.94

$0.586

$0.381

$0.292

Envase tipo carrete

$0.217

Ver

MouseReel Disponible

Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

3.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP129N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $2.27
921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP129N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP129N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

921En existencias

$2.27

$1.10

$0.983

$0.783

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

52 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP75DP06LMXTSA1
Infineon Technologies
1: $0.64
4,652En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISP75DP06LMXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP75DP06LMXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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Hoja de datos

4,652En existencias

Cinta cortada

$0.64

$0.397

$0.254

$0.192

Envase tipo carrete

$0.188

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

1.1 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSP135IXTSA1
Infineon Technologies
1: $0.79
372En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSP135IXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP135IXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

Hoja de datos

372En existencias

3,000En pedido

Cinta cortada

$0.79

$0.488

$0.314

$0.239

Envase tipo carrete

$0.214

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

600 V

120 mA

30 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

3.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Depletion

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSS123IXTSA1
Infineon Technologies
1: $0.26
32,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS123IXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS123IXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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Hoja de datos

32,000En existencias

Cinta cortada

$0.26

$0.157

$0.098

$0.072

Envase tipo carrete

$0.052

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.8 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP024N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $3.59
579En existencias
1,000Se espera el 01/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP024N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP024N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

579En existencias

1,000Se espera el 01/07/2027

$3.59

$1.81

$1.69

$1.41

$1.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

182 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg

IRFML8244TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.53
978En existencias
111,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFML8244TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFML8244TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg

Hoja de datos

978En existencias

111,000En pedido

Cinta cortada

$0.53

$0.357

$0.232

$0.169

$0.132

Envase tipo carrete

$0.106

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

25 V

5.8 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

5.4 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable

IRLML6344TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.57
270,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRLML6344TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6344TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable

Hoja de datos

270,000En pedido

Cinta cortada

$0.57

$0.35

$0.221

$0.165

$0.135

Envase tipo carrete

$0.104

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5 A

29 mOhms

- 12 V, 12 V

800 mV

6.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 78A 4.8mOhm 15nC Qg

IRLB8748PBF
Infineon Technologies
1: $1.45
1,023En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRLB8748PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLB8748PBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 78A 4.8mOhm 15nC Qg

Hoja de datos

1,023En existencias

$1.45

$0.682

$0.607

$0.475

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

92 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

HEXFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 6.3A 21mOhm 2.5V cpbl

IRLML6244TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.70
286,903En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRLML6244TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6244TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 6.3A 21mOhm 2.5V cpbl

Hoja de datos

286,903En pedido

Cinta cortada

$0.70

$0.455

$0.294

$0.192

$0.152

Envase tipo carrete

$0.112

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

6.3 A

21 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

8.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP016N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $4.44
2,000Se espera el 11/19/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP016N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP016N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,000Se espera el 11/19/2026

$4.44

$2.27

$2.06

$1.69

$1.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

196 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP650P06NMXTSA1
Infineon Technologies
1: $1.93
2,900Se espera el 02/25/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISP650P06NMXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP650P06NMXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

Hoja de datos

2,900Se espera el 02/25/2027

Cinta cortada

$1.93

$1.23

$0.825

$0.653

Envase tipo carrete

$0.494

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

3.7 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.91
32,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6376TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6376TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

Hoja de datos

32,000En pedido

Cinta cortada

$0.91

$0.566

$0.367

$0.281

Ver

Envase tipo carrete

$0.185

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

2 Channel

30 V

3.6 A

63 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPB050N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $2.76
1,596Se espera el 09/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB050N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB050N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

1,596Se espera el 09/03/2026

Cinta cortada

$2.76

$1.72

$1.25

$0.947

Envase tipo carrete

$0.887

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

103 A

5.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

120 mA
190 mA
300 mA
1.1 A
2.7 A
3.4 A
3.6 A
3.7 A
3.9 A
4.1 A
4.5 A
5 A
5.3 A
5.8 A
6.3 A
6.4 A
8.3 A
22 A
40 A
52 A

900 uOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms
1.23 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2.05 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.85 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
4.6 mOhms
5 mOhms
5.05 mOhms
5.5 mOhms

600 pC
630 pC
1 nC
2.6 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.5 nC
3.7 nC
4 nC
5.2 nC
5.4 nC
6.8 nC
8.9 nC
11 nC
14 nC
15 nC
19 nC
22 nC
23 nC

500 mW
1.25 W
1.3 W
1.5 W
1.8 W
2 W
3.6 W
4.2 W
5 W
9.6 W
54 W
69 W
71 W
75 W
83 W
100 W
107 W
136 W
140 W
150 W