|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
- ISP650P06NMXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.79
-
2,833En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISP650P06NMXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
|
|
2,833En existencias
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.762
|
|
|
$0.61
|
|
|
$0.557
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.483
|
|
|
$0.455
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
3.7 A
|
65 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.1 V
|
39 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
4.2 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
- IRLHS6376TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$0.59
-
8,999En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6376TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
|
|
8,999En existencias
|
|
|
$0.59
|
|
|
$0.349
|
|
|
$0.287
|
|
|
$0.247
|
|
|
$0.181
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.224
|
|
|
$0.209
|
|
|
$0.158
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PQFN 2x2 (DFN2020)
|
N-Channel
|
2 Channel
|
30 V
|
3.6 A
|
63 mOhms
|
- 12 V, 12 V
|
1.8 V
|
2.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.5 W
|
Enhancement
|
|
StrongIRFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC
- IRLML2030TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$0.47
-
37,507En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLML2030TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC
|
|
37,507En existencias
|
|
|
$0.47
|
|
|
$0.352
|
|
|
$0.199
|
|
|
$0.134
|
|
|
$0.09
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.101
|
|
|
$0.078
|
|
|
$0.072
|
|
|
$0.065
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
2.7 A
|
100 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1.3 V
|
1 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.3 W
|
Enhancement
|
|
HEXFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl
- IRLML6246TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$0.42
-
65,356En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6246TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl
|
|
65,356En existencias
|
|
|
$0.42
|
|
|
$0.256
|
|
|
$0.162
|
|
|
$0.123
|
|
|
$0.11
|
|
|
$0.092
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
20 V
|
4.1 A
|
46 mOhms
|
- 12 V, 12 V
|
1.8 V
|
3.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.3 W
|
Enhancement
|
|
HEXFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable
- IRLML6344TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$0.38
-
119,829En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6344TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable
|
|
119,829En existencias
|
|
|
$0.38
|
|
|
$0.247
|
|
|
$0.194
|
|
|
$0.147
|
|
|
$0.108
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.131
|
|
|
$0.099
|
|
|
$0.091
|
|
|
$0.082
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
5 A
|
29 mOhms
|
- 12 V, 12 V
|
800 mV
|
6.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.3 W
|
Enhancement
|
|
HEXFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
- BSP135IXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.76
-
2,280En existencias
-
3,000Se espera el 02/16/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSP135IXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
|
|
2,280En existencias
3,000Se espera el 02/16/2026
|
|
|
$0.76
|
|
|
$0.465
|
|
|
$0.303
|
|
|
$0.234
|
|
|
$0.203
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.174
|
|
|
$0.157
|
|
|
$0.15
|
|
|
$0.138
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
120 mA
|
30 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.1 V
|
3.7 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.8 W
|
Depletion
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPP024N08NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.35
-
997En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP024N08NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
997En existencias
|
|
|
$3.35
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.56
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.33
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
182 A
|
2.4 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.8 V
|
89 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
214 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPP040N08NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.02
-
1,121En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N08NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
1,121En existencias
|
|
|
$3.02
|
|
|
$1.51
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.01
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.973
|
|
|
$0.937
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
115 A
|
4 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.8 V
|
54 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPP082N10NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.00
-
937En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP082N10NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
937En existencias
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.974
|
|
|
$0.778
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.67
|
|
|
$0.644
|
|
|
$0.62
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
77 A
|
8.2 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.8 V
|
28 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
100 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPP129N10NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.87
-
1,031En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP129N10NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
1,031En existencias
|
|
|
$1.87
|
|
|
$1.86
|
|
|
$0.898
|
|
|
$0.804
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.637
|
|
|
$0.583
|
|
|
$0.518
|
|
|
$0.499
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
52 A
|
12.9 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.8 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
71 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
- IRLTS6342TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$0.58
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
3,342En existencias
-
3,000Se espera el 03/05/2026
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLTS6342TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
|
|
3,342En existencias
3,000Se espera el 03/05/2026
|
|
|
$0.58
|
|
|
$0.367
|
|
|
$0.229
|
|
|
$0.183
|
|
|
$0.119
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.166
|
|
|
$0.114
|
|
|
$0.109
|
|
|
$0.105
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSOP-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
8.3 A
|
17.5 mOhms
|
- 12 V, 12 V
|
1.8 V
|
11 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
2 W
|
Enhancement
|
|
HEXFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
- 2N7002H6327XTSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$0.15
-
18,771En existencias
-
408,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-2N7002H6327XTSA2
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
|
|
18,771En existencias
408,000En pedido
|
|
|
$0.15
|
|
|
$0.081
|
|
|
$0.059
|
|
|
$0.055
|
|
|
$0.039
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
300 mA
|
1.6 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
1.5 V
|
600 pC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
500 mW
|
Enhancement
|
AEC-Q100
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
- BSS123IXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.23
-
10,664En existencias
-
12,000Se espera el 03/05/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSS123IXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
|
|
10,664En existencias
12,000Se espera el 03/05/2026
|
|
|
$0.23
|
|
|
$0.133
|
|
|
$0.063
|
|
|
$0.057
|
|
|
$0.032
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.03
|
|
|
$0.025
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
190 mA
|
6 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
1.8 V
|
630 pC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
500 mW
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPB050N10NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.12
-
546En existencias
-
800En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB050N10NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
546En existencias
800En pedido
|
|
|
$2.12
|
|
|
$1.40
|
|
|
$0.938
|
|
|
$0.876
|
|
|
$0.611
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.591
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
103 A
|
5.05 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.2 V
|
51 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPP055N08NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.50
-
978En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP055N08NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
978En existencias
|
|
|
$2.50
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.11
|
|
|
$0.886
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.801
|
|
|
$0.757
|
|
|
$0.743
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
99 A
|
5.5 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.8 V
|
36 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
107 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
- ISC019N03L5SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.28
-
2,241En existencias
-
5,000Se espera el 08/13/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N03L5SATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
|
|
2,241En existencias
5,000Se espera el 08/13/2026
|
|
|
$1.28
|
|
|
$0.808
|
|
|
$0.534
|
|
|
$0.425
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.303
|
|
|
$0.363
|
|
|
$0.349
|
|
|
$0.303
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
100 A
|
1.9 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1.2 V
|
22 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
69 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS ~ StrongIRFET
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
- ISP75DP06LMXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.60
-
8,112En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISP75DP06LMXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
|
|
8,112En existencias
|
|
|
$0.60
|
|
|
$0.374
|
|
|
$0.248
|
|
|
$0.187
|
|
|
$0.128
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.125
|
|
|
$0.122
|
|
|
$0.104
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
1.1 A
|
750 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1 V
|
4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
4.2 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg
- IRFML8244TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$0.22
-
1,438En existencias
-
24,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRFML8244TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg
|
|
1,438En existencias
24,000En pedido
Existencias:
1,438 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
6,000 Se espera el 03/26/2026
Plazo de entrega de fábrica:
15 Semanas
|
|
|
$0.22
|
|
|
$0.14
|
|
|
$0.106
|
|
|
$0.101
|
|
|
$0.073
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.097
|
|
|
$0.07
|
|
|
$0.067
|
|
|
$0.062
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
25 V
|
5.8 A
|
41 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1.7 V
|
5.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
1.25 W
|
Enhancement
|
|
HEXFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
- IRLHS6242TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$0.66
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
709En existencias
-
4,000Se espera el 03/19/2026
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6242TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
|
|
709En existencias
4,000Se espera el 03/19/2026
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.372
|
|
|
$0.278
|
|
|
$0.233
|
|
|
$0.169
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.21
|
|
|
$0.19
|
|
|
$0.136
|
|
|
$0.134
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PQFN 2x2 (DFN2020)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
20 V
|
22 A
|
11.7 mOhms
|
- 12 V, 12 V
|
1.1 V
|
14 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
9.6 W
|
Enhancement
|
|
StrongIRFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 6.3A 21mOhm 2.5V cpbl
- IRLML6244TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$0.43
-
19,430En existencias
-
102,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6244TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 6.3A 21mOhm 2.5V cpbl
|
|
19,430En existencias
102,000En pedido
Existencias:
19,430 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
54,000 Se espera el 10/01/2026
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
|
|
|
$0.43
|
|
|
$0.255
|
|
|
$0.128
|
|
|
$0.118
|
|
|
$0.069
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.109
|
|
|
$0.066
|
|
|
$0.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
20 V
|
6.3 A
|
21 mOhms
|
- 12 V, 12 V
|
1.8 V
|
8.9 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.3 W
|
Enhancement
|
|
HEXFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable
- IRLML6346TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$0.44
-
1,985En existencias
-
215,900En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6346TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable
|
|
1,985En existencias
215,900En pedido
Existencias:
1,985 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
53,900 Pendiente
36,000 Se espera el 04/30/2026
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
|
|
|
$0.44
|
|
|
$0.269
|
|
|
$0.17
|
|
|
$0.127
|
|
|
$0.113
|
|
|
$0.093
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
3.4 A
|
63 mOhms
|
- 12 V, 12 V
|
800 mV
|
2.9 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.3 W
|
Enhancement
|
|
HEXFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
- ISZ065N03L5SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.97
-
2,335En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ065N03L5SATMA
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
|
|
2,335En existencias
|
|
|
$0.97
|
|
|
$0.602
|
|
|
$0.392
|
|
|
$0.302
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.203
|
|
|
$0.262
|
|
|
$0.248
|
|
|
$0.203
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
40 A
|
8.6 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1.2 V
|
5.2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
|
Enhancement
|
|
OptiMOS ~ StrongIRFET
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -20V -4.3A 54mOhm -2.5V cpbl
- IRLML2244TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$0.29
-
16,234En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLML2244TRPBF
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -20V -4.3A 54mOhm -2.5V cpbl
|
|
16,234En existencias
|
|
|
$0.29
|
|
|
$0.25
|
|
|
$0.156
|
|
|
$0.122
|
|
|
$0.088
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.107
|
|
|
$0.082
|
|
|
$0.074
|
|
|
$0.065
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
P-Channel
|
1 Channel
|
20 V
|
4.3 A
|
54 mOhms
|
- 12 V, 12 V
|
400 mV
|
6.9 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.3 W
|
Enhancement
|
|
HEXFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm
- IRLML9301TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$0.39
-
16,312En existencias
-
66,000En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLML9301TRPBF
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm
|
|
16,312En existencias
66,000En pedido
Existencias:
16,312 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 02/24/2026
Plazo de entrega de fábrica:
15 Semanas
|
|
|
$0.39
|
|
|
$0.237
|
|
|
$0.155
|
|
|
$0.127
|
|
|
$0.093
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.103
|
|
|
$0.086
|
|
|
$0.07
|
|
|
$0.067
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
P-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
3.6 A
|
103 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
4.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.3 W
|
Enhancement
|
|
HEXFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPP016N08NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.64
-
2,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP016N08NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
2,000En pedido
En pedido:
1,000 Se espera el 05/21/2026
1,000 Se espera el 06/18/2026
Plazo de entrega de fábrica:
15 Semanas
|
|
|
$4.64
|
|
|
$3.07
|
|
|
$2.40
|
|
|
$2.13
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
196 A
|
1.6 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.8 V
|
170 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
