NTTFSSCH1D3N04XL

onsemi
863-NTTFSSCH1D3N04XL
NTTFSSCH1D3N04XL

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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En existencias: 156

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Se espera el 06/05/2026
Plazo de entrega de fábrica:
24
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Precio ext.:
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Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.57 $2.57
$1.66 $16.60
$1.19 $119.00
$0.99 $495.00
$0.917 $917.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
$0.779 $3,895.00
25,000 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN-9
N-Channel
1 Channel
40 V
207 A
1.3 mOhms
20 V
2.2 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 123 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5 ns
Serie: NTTFSSCH1D3N04XL
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 43 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 18 ns
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low RDS(ON), low QG, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

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