GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Configuración de interruptor Frecuencia mínima Frecuencia máxima Pérdida por inserción Aislamiento en modo apagado - típica Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Estilo de montaje Paquete / Cubierta Tecnología Serie Empaquetado
Qorvo Circuitos integrados de interruptores de RF 5-6000MHz SPDT IL .25dB Iso 39dB 3,548En existencias
2,500Se espera el 07/27/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 750
: 2,500

SPDT 5 MHz 6 GHz 0.46 dB 29 dB - 40 C + 105 C SMD/SMT LGA-9 Si QPC1022 Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo Circuitos integrados de interruptores de RF 50W, 0.15-2.8GHz GaN SP3T Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

SP3T 150 MHz 2.8 GHz 0.3 dB to 1 dB 30 dB + 275 C SMD/SMT QFN-24 GaN QPC1006 Reel