PSMN MOSFETs in LFPAK Package

Nexperia PSMN MOSFETs in LFPAK Package are logic level N-channel devices in an LFPAK package qualified to 150°C. These MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The PSMN MOSFETs in LFPAK feature advanced TrenchMOS architecture for low RDSon and low gate charge.  These PSMN MOSFETs in LFPAK also provide high-efficiency gains in switching power converters.

Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R0-30YL/SOT669/LFPAK 664En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 64 nC - 55 C + 175 C 97 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R0-30YL/SOT669/LFPAK 1,368En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 45.8 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R0-30YL/SOT669/LFPAK 1,492En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 91 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 29 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R7-30YL/SOT669/LFPAK 1,241En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 77.9 nC - 55 C + 150 C 109 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R5-30YL/SOT669/LFPAK 153En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 57 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R5-30YL/SOT669/LFPAK 83En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 41 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN7R0-30YL/SOT669/LFPAK 4,153En existencias
6,000Se espera el 04/20/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 76 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN4R0-30YL/SOT669/LFPAK Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 36.6 nC - 55 C + 175 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN6R0-30YL/SOT669/LFPAK Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 79 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 24 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel