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TPM7R10CQ5,LQ

Name: Toshiba TPM7R10CQ5,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPM7R10CQ5LQ
Price: 3.74 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TPM7R10CQ5LQ

Fabricante N.º:

TPM7R10CQ5,LQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 150 V, 0.0071 ohma.10V, Qrr=43nCa.100A/ s, SOP Advance(E), U-MOS?-H

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	$1.72	$172.00
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	$1.49	$1,490.00
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$1.42	$7,100.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	120 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	57 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	250 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	TH
País de difusión:	JP
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	24 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	20 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	61 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	44 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

150V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs

Toshiba 150V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs are advanced power semiconductor devices engineered for high-efficiency switching applications, particularly in demanding environments like telecommunication base stations and data center servers. These MOSFETs are part of Toshiba’s U-MOS X-H series, which leverages cutting-edge trench process technology to deliver superior performance in compact and cost-sensitive power supply designs. The U-MOS X-H series achieves significantly reduced on-resistance, minimizing conduction losses and improving overall power efficiency. An enhanced output charge (Qoss) and reverse recovery charge (Qrr) contribute to lower switching losses, making these MOSFETs ideal for high-frequency applications. Rated for operation at channel temperatures of up to +175°C, the Toshiba 150V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs ensure reliability in thermally challenging environments.