Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp STP20NM60FD STMicroelectronics 1: $6.60 4,251En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP20NM60FD N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM60FD	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	4,251En existencias	$6.60 $4.61 $4.11 $3.75 $3.70	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	290 mOhms	30 V	3 V	54 nC	- 65 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp STB20NM50FDT4 STMicroelectronics 1: $6.12 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos. 1,900En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante STB20NM50FDT4 N.º de artículo de Mouser 511-STB20NM50FD NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp	Hoja de datos	1,900En existencias	Cinta cortada $6.12 $4.01 $3.68 $3.42 Envase tipo carrete $3.32 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	20 A	250 mOhms	30 V	5 V	38 nC	- 65 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	FDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II STP11NM60ND STMicroelectronics 1: $6.01 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos. 415En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante STP11NM60ND N.º de artículo de Mouser 511-STP11NM60ND NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	415En existencias	$6.01 $3.94 $2.94 $2.45 $2.09 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	450 mOhms	25 V	3 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR STF10NM60ND STMicroelectronics 1: $2.63 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos. 944En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante STF10NM60ND N.º de artículo de Mouser 511-STF10NM60ND NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	944En existencias	$2.63 $1.32 $1.19 $1.17 $1.10 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	8 A	600 mOhms	25 V	3 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp STP20NM50FD STMicroelectronics 1: $8.55 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos. 767En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP20NM50FD N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM50FD	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	767En existencias	$8.55 $4.65 $4.27 $3.96 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	20 A	250 mOhms	30 V	3 V	56 nC	- 65 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp STW20NM50FD STMicroelectronics 1: $8.66 376En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW20NM50FD N.º de artículo de Mouser 511-STW20NM50FD	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp	Hoja de datos	376En existencias	$8.66 $5.07 $4.98 $4.52	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	500 V	20 A	250 mOhms	30 V	3 V	53 nC	- 65 C	+ 150 C	214 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp STW20NM60FD STMicroelectronics 1: $7.72 630En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW20NM60FD N.º de artículo de Mouser 511-STW20NM60FD	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	630En existencias	$7.72 $4.06 $3.73 $3.42	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	290 mOhms	30 V	3 V	37 nC	- 65 C	+ 150 C	214 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A STF11NM60ND STMicroelectronics 1: $5.68 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos. 62En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante STF11NM60ND N.º de artículo de Mouser 511-STF11NM60ND NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	62En existencias	$5.68 $2.97 $2.56 $2.24 Ver $2.20 $2.18 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	450 mOhms	25 V	4 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II STD11NM60ND STMicroelectronics 1: $4.99 Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante STD11NM60ND N.º de artículo de Mouser 511-STD11NM60ND NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas	Cinta cortada $4.99 $2.58 $2.54 $2.31 Envase tipo carrete $2.15 Ver $2.23 $2.06 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	450 mOhms	25 V	3 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	FDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel

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