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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
- IQE020N04LM6CGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.75
-
4,000En existencias
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
726-IQE020N04LM6CGAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
|
|
4,000En existencias
|
|
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$2.75
|
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$1.77
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$1.20
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$1.02
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Ver
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$0.747
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$0.905
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$0.856
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$0.747
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
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Si
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SMD/SMT
|
TTFN-9
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N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
166 A
|
2.05 mOhms
|
20 V
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2.3 V
|
25 nC
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- 55 C
|
+ 175 C
|
107 W
|
Enhancement
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OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
- IQE020N04LM6CGSCATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.92
-
4,186En existencias
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Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
726-IQE020N04LM6CGSC
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
|
|
4,186En existencias
|
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|
$2.92
|
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$1.45
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$1.30
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$1.05
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Ver
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$0.809
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$0.987
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$0.953
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$0.809
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Min.: 1
Mult.: 1
:
6,000
|
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|
Si
|
SMD/SMT
|
WTFN-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
166 A
|
2.05 mOhms
|
20 V
|
2.3 V
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25 nC
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- 55 C
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+ 175 C
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107 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSC022N04LS6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.55
-
123,997En existencias
-
95,000Se espera el 02/25/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC022N04LS6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
123,997En existencias
95,000Se espera el 02/25/2027
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|
$1.55
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$0.977
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$0.508
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$0.499
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$0.499
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
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|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
100 A
|
2.2 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1.3 V
|
28 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
79 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSC010N04LS6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.50
-
6,046En existencias
-
30,000En pedido
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N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LS6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
6,046En existencias
30,000En pedido
Existencias:
6,046 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10,000 Se espera el 03/04/2027
20,000 Se espera el 04/22/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$2.50
|
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$1.43
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$1.08
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$0.868
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$0.839
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$0.719
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
100 A
|
1 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1.3 V
|
67 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSC059N04LS6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.15
-
18,944En existencias
-
50,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC059N04LS6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
18,944En existencias
50,000En pedido
Existencias:
18,944 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
20,000 Se espera el 09/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$1.15
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|
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$0.772
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$0.507
|
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$0.352
|
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$0.326
|
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$0.305
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
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|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
59 A
|
5.9 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1.3 V
|
9.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
38 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSZ021N04LS6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.04
-
7,963En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ021N04LS6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
7,963En existencias
|
|
|
$2.04
|
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|
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|
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$0.696
|
|
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Ver
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|
|
|
$0.679
|
|
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$0.647
|
|
|
$0.571
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
40 A
|
2.4 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.3 V
|
31 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
83 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.03
-
10,358En existencias
-
10,000Se espera el 09/21/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018N04LS6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
10,358En existencias
10,000Se espera el 09/21/2026
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.29
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.814
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.655
|
|
|
$0.80
|
|
|
$0.785
|
|
|
$0.655
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
40 A
|
2.1 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.3 V
|
31 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
83 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSC007N04LS6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.33
-
39,863En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC007N04LS6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
39,863En pedido
En pedido:
24,863 Se espera el 12/31/2026
15,000 Se espera el 02/18/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$3.33
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.33
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
381 A
|
700 uOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1.3 V
|
94 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
188 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSZ063N04LS6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.24
-
168,519En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ063N04LS6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
168,519En pedido
En pedido:
28,519 Se espera el 04/01/2027
50,000 Se espera el 05/06/2027
90,000 Se espera el 09/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$1.24
|
|
|
$0.715
|
|
|
$0.575
|
|
|
$0.494
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.295
|
|
|
$0.443
|
|
|
$0.396
|
|
|
$0.295
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
40 A
|
7 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.3 V
|
9.5 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
38 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSZ024N04LS6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.95
-
22,136En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ024N04LS6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
22,136En pedido
En pedido:
1,136 Se espera el 08/31/2026
15,000 Se espera el 10/15/2026
6,000 Se espera el 10/21/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$1.95
|
|
|
$1.10
|
|
|
$0.866
|
|
|
$0.731
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.549
|
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$0.698
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|
$0.661
|
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|
$0.549
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|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
40 A
|
2.8 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.3 V
|
25 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
75 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|