|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
- IPW60R160P6
- Infineon Technologies
-
1:
$5.01
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
804En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
|
|
804En existencias
|
|
|
$5.01
|
|
|
$3.28
|
|
|
$2.45
|
|
|
$2.04
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.90
|
|
|
$1.79
|
|
|
Presupuesto
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
23.8 A
|
144 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
44 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
176 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPA60R125P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.82
-
822En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
822En existencias
|
|
|
$4.82
|
|
|
$2.83
|
|
|
$2.31
|
|
|
$1.77
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
30 A
|
113 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
56 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
34 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPP60R099P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.67
-
714En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
714En existencias
|
|
|
$6.67
|
|
|
$3.97
|
|
|
$3.22
|
|
|
$2.67
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
37.9 A
|
89 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
70 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
278 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPL60R180P6AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.17
-
3,871En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R180P6AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
3,871En existencias
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.80
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
VSON-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
22.4 A
|
162 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
44 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
176 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
- IPD60R380P6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.18
-
7,256En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R380P6ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
|
|
7,256En existencias
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.38
|
|
|
$0.93
|
|
|
$0.754
|
|
|
$0.55
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.676
|
|
|
$0.549
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
10.6 A
|
380 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
31 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRC/PRFRM
- IPA60R600P6
- Infineon Technologies
-
1:
$2.25
-
430En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRC/PRFRM
|
|
430En existencias
|
|
|
$2.25
|
|
|
$1.43
|
|
|
$0.963
|
|
|
$0.779
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.698
|
|
|
$0.653
|
|
|
$0.624
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
7.3 A
|
540 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
12 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
28 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
- IPP60R190P6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.64
-
713En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
|
|
713En existencias
|
|
|
$3.64
|
|
|
$2.37
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.39
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.29
|
|
|
$1.21
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
20.2 A
|
190 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
37 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
151 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
- IPW60R190P6
- Infineon Technologies
-
1:
$4.39
-
561En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R190P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
|
|
561En existencias
|
|
|
$4.39
|
|
|
$2.87
|
|
|
$2.14
|
|
|
$1.79
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
20.2 A
|
171 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
37 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
151 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- IPD60R600P6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.89
-
1,986En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P6ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
1,986En existencias
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.18
|
|
|
$0.777
|
|
|
$0.617
|
|
|
$0.465
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.548
|
|
|
$0.437
|
|
|
$0.436
|
|
|
$0.434
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
7.3 A
|
600 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
12 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
63 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
- IPA60R190P6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.28
-
524En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
|
|
524En existencias
|
|
|
$3.28
|
|
|
$2.13
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.22
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.13
|
|
|
$1.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
20.2 A
|
190 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
37 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
34 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPP60R125P6
- Infineon Technologies
-
1:
$5.38
-
444En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
444En existencias
|
|
|
$5.38
|
|
|
$3.53
|
|
|
$2.63
|
|
|
$2.20
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.04
|
|
|
$1.93
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
30 A
|
113 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
56 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
219 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM
- IPB60R160P6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.30
-
5,027En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R160P6ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM
|
|
5,027En existencias
|
|
|
$4.30
|
|
|
$2.82
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.54
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
23.8 A
|
160 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
44 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
176 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPA60R099P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.79
-
854En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
854En existencias
|
|
|
$5.79
|
|
|
$3.03
|
|
|
$2.77
|
|
|
$2.62
|
|
|
$2.35
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
37.9 A
|
89 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
70 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
34 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPW60R099P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.05
-
1,193En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
1,193En existencias
|
|
|
$6.05
|
|
|
$3.42
|
|
|
$2.84
|
|
|
$2.78
|
|
|
$2.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
37.9 A
|
89 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
70 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
278 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
- IPW60R160P6FKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.89
-
343En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6FKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
|
|
343En existencias
|
|
|
$4.89
|
|
|
$2.72
|
|
|
$2.56
|
|
|
$1.88
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
23.8 A
|
144 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
44 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
176 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPA60R099P6
- Infineon Technologies
-
1:
$5.87
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
379En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
379En existencias
|
|
|
$5.87
|
|
|
$3.85
|
|
|
$2.89
|
|
|
$2.45
|
|
|
$2.23
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
37.9 A
|
89 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
70 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
34 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
- IPA60R160P6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.88
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
30En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
|
|
30En existencias
|
|
|
$3.88
|
|
|
$2.53
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.54
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.43
|
|
|
$1.34
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
23.8 A
|
144 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
44 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
34 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
- IPA60R160P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.89
-
8En existencias
-
1,000Se espera el 10/01/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
|
|
8En existencias
1,000Se espera el 10/01/2026
|
|
|
$3.89
|
|
|
$2.54
|
|
|
$1.85
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.35
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
23.8 A
|
144 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
44 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
34 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3
- IPA60R230P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.07
-
457En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R230P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3
|
|
457En existencias
|
|
|
$3.07
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.41
|
|
|
$1.07
|
|
|
$1.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
16.8 A
|
538 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
31 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
33 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
- IPA60R280P6
- Infineon Technologies
-
1:
$2.80
-
539En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
|
|
539En existencias
|
|
|
$2.80
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.00
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.933
|
|
|
$0.90
|
|
|
$0.883
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
13.8 A
|
252 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
25.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
32 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
- IPA60R280P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.80
-
736En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
|
|
736En existencias
|
|
|
$2.80
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.24
|
|
|
$0.997
|
|
|
$0.883
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
13.8 A
|
252 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
25.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
32 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPP60R099P6
- Infineon Technologies
-
1:
$6.67
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
496En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
496En existencias
|
|
|
$6.67
|
|
|
$4.37
|
|
|
$3.28
|
|
|
$2.78
|
|
|
$2.54
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
37.9 A
|
89 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
70 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
278 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPP60R125P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.62
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
276En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
276En existencias
|
|
|
$5.62
|
|
|
$3.68
|
|
|
$2.74
|
|
|
$2.30
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.13
|
|
|
$2.00
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
30 A
|
113 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
56 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
219 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPW60R070P6
- Infineon Technologies
-
1:
$7.10
-
181En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
181En existencias
|
|
|
$7.10
|
|
|
$4.75
|
|
|
$3.82
|
|
|
$3.39
|
|
|
$3.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
53.5 A
|
63 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
100 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
391 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPW60R070P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.28
-
440En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
440En existencias
|
|
|
$7.28
|
|
|
$4.17
|
|
|
$3.46
|
|
|
$3.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
53.5 A
|
63 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
100 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
391 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|