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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL 9,702En existencias
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Si WDFN-8 PowerTrench Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q32MOHM N-FET HE SO8FL
2,741Se espera el 03/13/2026
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 142 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 155 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 113A, 4.2mohm Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 113 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel