NTK3139P P-Channel Single Power MOSFET

onsemi NTK3139P P-Channel Single Power MOSFET is available in a compact SOT-723 package with built-in ESD protection. The SOT-723 package has a 44% smaller footprint and is 38% thinner than an SC-89 package. The drain-to-source voltage (VDSS) is rated at -20V and has a continuous drain current (ID) rating of -780mA (TA = +25°C). The onsemi NTK3139P features a low threshold level allowing for a 1.5V RDS(on) rating (VGS = 1.5V, ID = -100mA) of 0.95Ω (typical). The onsemi device can be operated at a low logic level gate drive. Typical applications include load/power switching, interfacing (logic switching), and battery management for ultra-small portable electronics.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single P-Channel Power MOSFET with ESD Protection -20V -780mA 480mohm
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Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 780 mA 2.2 Ohms 6 V 1.2 V - 55 C + 150 C 450 mW Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
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Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 780 mA 380 mOhms - 6 V, 6 V 1.2 V - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
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Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 780 mA 380 mOhms - 6 V, 6 V 1.2 V - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel