Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

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Reel, Cut Tape

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RD3U080AAFRATL
ROHM Semiconductor
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RD3U080AAFRATL

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755-RD3U080AAFRATL

ROHM Semiconductor

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3G08BBLHRBTL
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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RD3L150SNFRATL

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755-RD3L150SNFRATL

ROHM Semiconductor

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RD3G08DBLHRBTL
ROHM Semiconductor
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RD3G08DBLHRBTL

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 100V 57A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3P06BBLHRBTL
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor

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AEC-Q101

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RD3G08DBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1: $2.89
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RD3G08DBKHRBTL

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755-RD3G08DBKHRBTL

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 40V 80A

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TO-252-3

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 80A

RD3L08DBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1: $2.31
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RD3L08DBKHRBTL

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755-RD3L08DBKHRBTL

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 80A

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$0.808

$0.763

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TO-252-3

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1 Channel

60 V

80 A

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20 V

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76 W

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3H200SNFRATL
ROHM Semiconductor
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RD3H200SNFRATL

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755-RD3H200SNFRATL

ROHM Semiconductor

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TO-252-3

N-Channel

1 Channel

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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RD3L050SNFRATL
ROHM Semiconductor
1: $1.65
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RD3L050SNFRATL

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755-RD3L050SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252

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$0.905

$0.865

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TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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RD3L080SNFRATL
ROHM Semiconductor
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RD3L080SNFRATL

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755-RD3L080SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252

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$0.752

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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.4 nC

- 55 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3L08BBKHRBTL
ROHM Semiconductor
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RD3L08BBKHRBTL

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755-RD3L08BBKHRBTL

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$3.60

$2.36

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$1.44

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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

3.3 mOhms

20 V

2.5 V

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- 55 C

+ 175 C

142 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

RD3L08BBLHRBTL
ROHM Semiconductor
1: $3.60
2,500Se espera el 05/21/2026
Nuevo producto

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RD3L08BBLHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L08BBLHRBTL

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2,500Se espera el 05/21/2026

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$2.36

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$1.35

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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

142 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

RD3L08CBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1: $2.59
2,500Se espera el 05/21/2026
Nuevo producto

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RD3L08CBKHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L08CBKHRBTL

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ROHM Semiconductor

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2,500Se espera el 05/21/2026

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$2.59

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$0.856

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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -68A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body.

RD3G06BBJHRBTL
ROHM Semiconductor
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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RD3G06BBJHRBTL

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755-RD3G06BBJHRBTL

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -68A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body.

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TO-252-3

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40 V

68 A

13.1 mOhms

- 20 V, 5 V

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- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

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