|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD70R900P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.04
-
19,331En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R900P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
19,331En existencias
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.591
|
|
|
$0.427
|
|
|
$0.33
|
|
|
$0.298
|
|
|
$0.224
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
700 V
|
6 A
|
740 mOhms
|
- 16 V, 16 V
|
2.5 V
|
6.8 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
30.5 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R800CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.30
-
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
6,862En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R800CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
6,862En existencias
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.802
|
|
|
$0.528
|
|
|
$0.412
|
|
|
$0.286
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.363
|
|
|
$0.278
|
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
8.4 A
|
800 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
17.2 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
74 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPU80R900P7AKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.89
-
1,441En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R900P7AKMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
1,441En existencias
|
|
|
$1.89
|
|
|
$0.846
|
|
|
$0.759
|
|
|
$0.634
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.575
|
|
|
$0.536
|
|
|
$0.507
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
6 A
|
900 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
15 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
45 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R400CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.66
-
4,025En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R400CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
4,025En existencias
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.699
|
|
|
$0.549
|
|
|
$0.448
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.501
|
|
|
$0.422
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
14.7 A
|
400 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
32 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
112 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.98
-
28,146En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
28,146En existencias
|
|
|
$0.98
|
|
|
$0.611
|
|
|
$0.398
|
|
|
$0.305
|
|
|
$0.243
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.276
|
|
|
$0.213
|
|
|
$0.204
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
700 V
|
4 A
|
1.15 Ohms
|
- 16 V, 16 V
|
2.5 V
|
4.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
22.7 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPU60R2K1CEAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.82
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,675En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPU60R2K1CEAKMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
2,675En existencias
|
|
|
$0.82
|
|
|
$0.346
|
|
|
$0.307
|
|
|
$0.25
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.225
|
|
|
$0.204
|
|
|
$0.202
|
|
|
$0.194
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
3.7 A
|
2.1 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
6.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
38 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA60R1K0CEXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.44
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
498En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R1K0CEXKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
498En existencias
|
|
|
$1.44
|
|
|
$0.677
|
|
|
$0.602
|
|
|
$0.469
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.391
|
|
|
$0.376
|
|
|
$0.349
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
6.8 A
|
2.22 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
13 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
26 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN60R1K0CEATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.99
-
2,995En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0CEATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
2,995En existencias
|
|
|
$0.99
|
|
|
$0.615
|
|
|
$0.40
|
|
|
$0.307
|
|
|
$0.239
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.277
|
|
|
$0.22
|
|
|
$0.205
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
6.8 A
|
2.34 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
13 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
5 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPU60R1K5CEAKMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$0.97
-
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,928En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPU60R1K5CEAKMA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
2,928En existencias
|
|
|
$0.97
|
|
|
$0.412
|
|
|
$0.365
|
|
|
$0.298
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.277
|
|
|
$0.217
|
|
|
$0.202
|
|
|
$0.199
|
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
5 A
|
1.5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
9.4 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
49 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.92
-
4,637En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K4P7SATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
4,637En existencias
|
|
|
$0.92
|
|
|
$0.575
|
|
|
$0.373
|
|
|
$0.286
|
|
|
$0.221
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.258
|
|
|
$0.203
|
|
|
$0.187
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
700 V
|
4 A
|
1.15 Ohms
|
- 16 V, 16 V
|
2.5 V
|
4.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
6.2 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3
- IPA60R400CEXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.05
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
63En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R400CEXKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3
|
|
63En existencias
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.844
|
|
|
$0.631
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.534
|
|
|
$0.515
|
|
|
$0.504
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FP-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
14.7 A
|
890 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
32 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
31 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA65R400CEXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.94
-
71En existencias
-
500Se espera el 05/26/2026
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R400CEXKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
71En existencias
500Se espera el 05/26/2026
|
|
|
$1.94
|
|
|
$0.927
|
|
|
$0.771
|
|
|
$0.63
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.551
|
|
|
$0.524
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
15.1 A
|
940 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
39 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
31 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R2K1CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.88
-
130En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R2K1CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
130En existencias
|
|
|
$0.88
|
|
|
$0.549
|
|
|
$0.355
|
|
|
$0.272
|
|
|
$0.215
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.245
|
|
|
$0.188
|
|
|
$0.174
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
3.7 A
|
2.1 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
6.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
38 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R650CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.28
-
78En existencias
-
2,500Se espera el 08/13/2026
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R650CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
78En existencias
2,500Se espera el 08/13/2026
|
|
|
$1.28
|
|
|
$0.786
|
|
|
$0.541
|
|
|
$0.419
|
|
|
$0.339
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.379
|
|
|
$0.304
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
9.9 A
|
540 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
20.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
82 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD65R400CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.59
-
801En existencias
-
2,500Se espera el 06/11/2026
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R400CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
801En existencias
2,500Se espera el 06/11/2026
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.648
|
|
|
$0.513
|
|
|
$0.425
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.476
|
|
|
$0.397
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
15.1 A
|
400 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
39 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
118 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD65R650CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.48
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
70En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R650CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
70En existencias
|
|
|
$1.48
|
|
|
$0.933
|
|
|
$0.619
|
|
|
$0.484
|
|
|
$0.392
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.44
|
|
|
$0.361
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
10.1 A
|
650 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
23 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
86 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN60R2K1CEATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.79
-
306En existencias
-
12,000Se espera el 05/26/2026
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R2K1CEATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
306En existencias
12,000Se espera el 05/26/2026
|
|
|
$0.79
|
|
|
$0.492
|
|
|
$0.317
|
|
|
$0.242
|
|
|
$0.185
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.217
|
|
|
$0.17
|
|
|
$0.151
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
3.7 A
|
4.91 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
6.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
5 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA60R360P7SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.80
-
1,317En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R360P7SXKSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
1,317En existencias
|
|
|
$1.80
|
|
|
$0.856
|
|
|
$0.764
|
|
|
$0.601
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.506
|
|
|
$0.473
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
9 A
|
300 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
13 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
22 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R360P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.38
-
2,361En existencias
-
7,500En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7SAUMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
2,361En existencias
7,500En pedido
Existencias:
2,361 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,500 Se espera el 12/03/2026
5,000 Se espera el 12/31/2026
Plazo de entrega de fábrica:
23 Semanas
|
|
|
$1.38
|
|
|
$0.871
|
|
|
$0.575
|
|
|
$0.448
|
|
|
$0.362
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.408
|
|
|
$0.329
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
9 A
|
300 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
13 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
41 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3
- IPA60R650CEXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.72
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
110En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R650CEXKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3
|
|
110En existencias
|
|
|
$1.72
|
|
|
$0.815
|
|
|
$0.727
|
|
|
$0.571
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.479
|
|
|
$0.477
|
|
|
$0.443
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
7 A
|
650 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
20.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
28 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R1K5CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.97
-
2,451En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K5CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
2,451En existencias
|
|
|
$0.97
|
|
|
$0.602
|
|
|
$0.391
|
|
|
$0.30
|
|
|
$0.238
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.271
|
|
|
$0.209
|
|
|
$0.199
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
5 A
|
1.5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
9.4 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
49 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN60R1K5CEATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.82
-
1,787En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5CEATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
1,787En existencias
|
|
|
$0.82
|
|
|
$0.508
|
|
|
$0.328
|
|
|
$0.25
|
|
|
$0.192
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.246
|
|
|
$0.176
|
|
|
$0.158
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
5 A
|
3.51 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
9.4 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
5 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN60R3K4CEATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.70
-
3,817En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R3K4CEATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
3,817En existencias
|
|
|
$0.70
|
|
|
$0.43
|
|
|
$0.277
|
|
|
$0.211
|
|
|
$0.141
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.189
|
|
|
$0.138
|
|
|
$0.133
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
2.6 A
|
7.96 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
4.6 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
5 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R1K0CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.03
-
7,500Se espera el 06/01/2026
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
7,500Se espera el 06/01/2026
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.645
|
|
|
$0.42
|
|
|
$0.323
|
|
|
$0.227
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.292
|
|
|
$0.211
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
6.8 A
|
1 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
13 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
61 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|