PXNx N-Channel Logic Level Trench MOSFETs

Nexperia PXNx N-Channel Logic Level Trench MOSFETs are designed for high-efficiency power management in various applications. These Nexperia MOSFETs feature low on-state resistance [RDS(on)], ranging from 2.8mΩ to 14mΩ, and support 60V and 100V drain-source voltages (VDS). These MOSFETs are optimized for logic level compatibility and are suitable for secondary side synchronous rectification, DC-to-DC converters, motor drives, load switching, and LED lighting. These MOSFETs are housed in thermally efficient MLPAK33 and MLPAK56 packages, which offer a compact footprint and enhanced thermal performance. With features like low gate charge (Qg) and high avalanche ruggedness, the PXNx series ensures reliable operation in demanding environments.

Resultados: 9
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 5.7 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
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25En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 83 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 11 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
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14En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 15
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 46 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 14 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
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1,090En existencias
3,000Se espera el 04/05/2027
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Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,489
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 39 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 2.8 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK56
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24En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 18
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 184 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 51 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 2.9 mOhm, standard level Trench MOSFET in MLPAK56
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8En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 8
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 74 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.2 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
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250En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 77 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14.1 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
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217En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 216
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 70 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 12.3 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 7.7 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33 238En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 11 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 9.1 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
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227En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 56 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 9.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel