Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 200A N-CH

RS7P200BMTB1
ROHM Semiconductor
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RS7P200BMTB1

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755-RS7P200BMTB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 200A N-CH

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$5.37

$3.57

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$2.26

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$2.11

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

200 A

4 mOhms

20 V

4 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 150V 125A N-CH

RS7R125CHTB1
ROHM Semiconductor
1: $5.22
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$5.22

$3.47

$2.48

$2.38

$2.31

Envase tipo carrete

$2.22

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

150 V

150 A

8.3 mOhms

20 V

4 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 30V 390A

RS7E200BGTB1
ROHM Semiconductor
1: $5.08
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$5.08

$3.38

$2.41

$2.30

$2.18

Envase tipo carrete

$2.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8S

N-Channel

1 Channel

30 V

390 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

135 nC

- 55 C

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180 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 160A

RS7N160BHTB1
ROHM Semiconductor
1: $4.63
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 160A

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Cinta cortada

$4.63

$3.07

$2.18

$2.03

$1.92

Envase tipo carrete

$1.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8S

N-Channel

1 Channel

80 V

160 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

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160 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 230A

RS7N200BHTB1
ROHM Semiconductor
1: $5.17
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Cinta cortada

$5.17

$3.44

$2.46

$2.35

$2.22

Envase tipo carrete

$2.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8S

N-Channel

1 Channel

80 V

230 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 410A

RS7G200CGTB1
ROHM Semiconductor
1: $5.18
2,500Se espera el 06/19/2026
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RS7G200CGTB1

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755-RS7G200CGTB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 410A

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2,500Se espera el 06/19/2026

Cinta cortada

$5.18

$3.44

$2.45

$2.15

Envase tipo carrete

$2.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

410 A

640 uOhms

20 V

2.5 V

145 nC

- 55 C

+ 175 C

216 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 445A

RS7G200CHTB1
ROHM Semiconductor
1: $4.85
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RS7G200CHTB1

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2,450Se espera el 06/19/2026

Cinta cortada

$4.85

$3.22

$2.29

$2.15

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$2.01

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: 2,500

SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

445 A

650 uOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

216 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 150A N-CH

RS7P150BHTB1
ROHM Semiconductor
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2,500Se espera el 06/19/2026
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755-RS7P150BHTB1

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SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

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