TBC8x7 Bipolar Junction Transistors

Toshiba TBC8x7 Bipolar Junction Transistors (BJTs) are available in both NPN and PNP polarities. These transistors are offered in a compact, surface-mount SOT23-3 package. Toshiba TBC8x7 BJTs feature a wide storage temperature (Tstg) range of -55°C to +150°C and a junction temperature (TJ)of +150°C. These transistors are ideal for use in low-frequency amplifiers and communication devices.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Corriente CC máxima de colector
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Tensión VCBO colector-base
Voltaje VEBO emisor-base
Voltaje de saturación colector-emisor
Dp - Disipación de potencia
Producto para ganar Ancho de banda fT
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BJT NPN 0.15A 50V
Hoja de datos
24,317En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN Single 150 mA 50 V 60 V 6 V 170 mV 320 mW 100 MHz + 150 C TBC8X7 Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BJT PNP -0.15A -50V
Hoja de datos
8,863En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP Single 150 mA 50 V 50 V 5 V 220 mV 320 mW 80 MHz + 150 C TBC8X7 Reel, Cut Tape, MouseReel