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IRFB4620PBFXKMA1

Name: Infineon IRFB4620PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRFB4620PBFXKMA1
Price: 0.94 USD
Availability: OutOfStock

Mouser N.º:

726-IRFB4620PBFXKMA1

Fabricante N.º:

IRFB4620PBFXKMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Hoja de datos:

IRFB4620PBFXKMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220AB-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	25 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	72.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	25 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	144 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	37
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	22.4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	25.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13.4 ns
Alias de las piezas n.º:	IRFB4620PBFXKMA1 SP005745529

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Reino Unido
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Reino Unido

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.