30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12VIN / 1V to 3VOUT DC-DC synchronous buck converter applications. 

Resultados: 31
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg 9,071En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 3.04 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 44 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 1,784En existencias
2,500Se espera el 08/25/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 33 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 9,274En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 5.3 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 25 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 7,473En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 6.5 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 7,940En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 50 V 3 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 20,679En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 55 V 5.1 A 65 mOhms, 65 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 29 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg 79,623En existencias
44,000Se espera el 02/25/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 17 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl 736,611En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.2 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg 5,102En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 260 A 1.95 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 86 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HEXFET Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC 13,059En existencias
16,000Se espera el 06/03/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 4.6 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A 22,278En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 3.5 A, 4.7 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A 6,530En existencias
16,000Se espera el 06/24/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 4.9 A 76 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A 17,836En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 6.5 A 46 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC 10,588En existencias
24,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 61 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC 11,991En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.32 V 34 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg 21,985En existencias
16,000En pedido
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 30 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg 104,829En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.3 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC 42,092En existencias
36,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.7 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 1 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A 4,801En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 9.1 A, 11 A 17.1 mOhms, 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 6.7 nC, 14 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg 3,739En existencias
8,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 30V 383En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT DSO-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 8.1 A, 8.4 A 22 mOhms, 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 8.9 nC, 7.2 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A 2,095En existencias
8,000Se espera el 06/17/2027
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 5.3 A, 7.3 A 46 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC 1,375En existencias
8,000Se espera el 09/14/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 161 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 103En existencias
27,000Se espera el 09/17/2026
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.5 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 97En existencias
32,000En pedido
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 55 V 4.7 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 24 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel