PMV Small Signal N-channel Trench MOSFETs

Nexperia PMV Small Signal N-channel Trench MOSFETs are N-channel enhancement mode Field-Effect Transistors (FET), each in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. They employ Trench MOSFET technology and offer a low threshold voltage and very fast switching. The PMV22EN MOSFET also offers logic-level compatibility. These MOSFETs are ideal for such applications as relay drivers, high-speed line drivers, low-side loadswitches, and switching circuits.

Resultados: 12
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 2.8A 2,712En existencias
3,000Se espera el 02/22/2027
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT TO-236AB-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.4 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 510 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V 1.6A
221,831En pedido
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 473 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 2.5 nC - 55 C + 175 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 20V 6.8A
56,282Se espera el 02/08/2027
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 8.6 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 13.4 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V 6A
188,995Se espera el 02/08/2027
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 7.6 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V 5.7A
124,472Se espera el 02/08/2027
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 7.2 A 23 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 12.4 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 20V 4.2A
40,952En pedido
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TO-236AB-3 N-Channel 1 Channel 20 V 5.4 A 32 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 6.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V 4.1A
31,500Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.1 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 3A
29,994Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 3 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 175 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V 2.2A
29,761En pedido
Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.2 A 117 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4 nC - 55 C + 175 C 1.26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT883 N-CH 20V .6A
30,000Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
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Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 20 V 600 mA 470 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 400 pC - 55 C + 150 C 715 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V 4.4A
12,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.4 A 37 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.3 nC - 55 C + 175 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V 3.2A
6,000Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.2 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 2.2 nC - 55 C + 175 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel