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PMV74EPER

Name: Nexperia PMV74EPER
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMV74EPER
Price: 0.51 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-PMV74EPER

Fabricante N.º:

PMV74EPER

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.

Hoja de datos:

PMV74EPER Hoja de datos (PDF)

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En pedido:: 3,000

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Plazo de entrega de fábrica:: 26

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Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.51	$0.51
	$0.316	$3.16
	$0.20	$20.00
	$0.152	$76.00
	$0.136	$136.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.112	$336.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-236AB-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	90 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	5.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	510 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	12 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	11 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns
Alias de las piezas n.º:	934661283215
Peso de la unidad:	4 g

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

PMV Small Signal N-channel Trench MOSFETs

Nexperia PMV Small Signal N-channel Trench MOSFETs are N-channel enhancement mode Field-Effect Transistors (FET), each in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. They employ Trench MOSFET technology and offer a low threshold voltage and very fast switching. The PMV22EN MOSFET also offers logic-level compatibility. These MOSFETs are ideal for such applications as relay drivers, high-speed line drivers, low-side loadswitches, and switching circuits.

SOT23 Surface-Mounted Package Products

Nexperia SOT23 Surface-Mounted Package Products are contained in a plastic, surface-mounted, three terminals, 1.9mm pitch, 2.9mm x 1.3mm x 1mm package. This mainstay package in semiconductors was introduced in 1969 and quickly became an industry standard. The SOT23 encapsulates an extensive range of diodes, bipolar transistors, MOSFETs, and ESD protection devices within Nexperia's portfolio. The SOT23 package has been a constant for the last 50 years, leading to several offspring, such as the SOT223 and SOT323.