Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218

TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: $2.43
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N.º de artículo del Fabricante
TJ30S06M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ30S06M3LT6L1NQ

Toshiba

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Mult.: 1

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

30 A

21.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK

TK55S10N1,LQ
Toshiba
1: $3.91
1,937En existencias

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TK55S10N1,LQ

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757-TK55S10N1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK

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Mult.: 1

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

55 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K2615R,LF
Toshiba
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3K2615R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K2615RLF

Toshiba

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

800 mV

6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

SSM3K337R,LF
Toshiba
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6,000En pedido

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SSM3K337R,LF

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757-SSM3K337RLF

Toshiba

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

38 V

2 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

700 mV

3 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V

SSM3K347R,LF
Toshiba
1: $0.53
1,158En existencias
3,000Se espera el 09/14/2026

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SSM3K347R,LF

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757-SSM3K347RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

38 V

2 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

SSM6N357R,LF
Toshiba
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SSM6N357R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N357RLF

Toshiba

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

2 Channel

60 V

650 mA

1.8 Ohms

- 12 V, 12 V

1.3 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSV

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

SSM3H137TU,LF
Toshiba
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SSM3H137TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3H137TULF

Toshiba

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: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

34 V

2 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

700 mV

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape

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