CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs help EV makers create 11kW and 22kW bidirectional onboard chargers with increased efficiency, power density, and reliability. These devices operate reliably at high temperatures (Tj,max +175°C), featuring Infineon’s proprietary. XT die attach technology for best-in-class thermal impedance for an equivalent die size.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_SICMOS
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190En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
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333En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
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131En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Hoja de datos
226En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Hoja de datos
191En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
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288En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
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Plazo de entrega 52 Semanas
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel