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Resultados: 551
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Qorvo TGS4302
Qorvo Circuitos integrados de interruptores de RF 27-46 GHz SPDT VPIN Switch 100En existencias
Min.: 100
Mult.: 100

Analog Devices Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 35-45 GHz
4En existencias
Min.: 2
Mult.: 2

Analog Devices Amplificador de RF 2 GHz to 30 GHz, GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier
4En existencias
Min.: 2
Mult.: 2

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 100En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
10En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

Analog Devices Amplificador de RF Driver amp, 18-40GHz
4En existencias
Min.: 2
Mult.: 2

Qorvo GaN FETs DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
100En existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Analog Devices Amplificador de RF Sample Pack
2En existencias
Min.: 2
Mult.: 2

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 100En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 100En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

Analog Devices Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 24-40 GHz
4En existencias
Min.: 2
Mult.: 2

Analog Devices Amplificador de RF I.C., DC-20GHz PA Die 2En existencias
Min.: 2
Mult.: 2

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices 100En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

Micron Memoria flash tipo NAND SLC 4G 4GX1 TBGA 380En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 2,000

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 2,139En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

CML Micro MWT-PH27F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
Analog Devices HMC-ALH140-SX
Analog Devices Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 27-40 GHz
2En existencias
Min.: 2
Mult.: 2

Qorvo CMD242
Qorvo Amplificador de RF DC-40 GHz Distributed Amplifier DIE
5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Analog Devices HMC553AG-SX
Analog Devices Mezclador de RF 6 GHz to 14 GHz, GaAs, MMIC, Double-Balanced Mixer 4En existencias
Min.: 2
Mult.: 2

Qorvo TGL4201-06
Qorvo Atenuadores DC-50 GHz Fixed Attenuator-6dB 200En existencias
Min.: 200
Mult.: 200

Qorvo TGL4201-10
Qorvo Atenuadores DC-50 GHz Fixed Atten-10dB 200En existencias
Min.: 200
Mult.: 200

Analog Devices HMC-ALH476-SX
Analog Devices Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 14-27 GHz 8En existencias
Min.: 2
Mult.: 2

MACOM MA4SW410
MACOM Circuitos integrados de interruptores de RF 50MHz-26GHz IL .9dB @20GHz 200En existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Qorvo Amplificador de RF 20W, 17.3-21.2 GHz PA-die
5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1