|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
- SIHG039N60E-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$12.39
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,329En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHG039N60E-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
|
|
1,329En existencias
|
|
|
$12.39
|
|
|
$6.98
|
|
|
$6.83
|
|
|
$6.47
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
- SIHG23N60E-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$6.33
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
654En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHG23N60E-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
|
|
654En existencias
|
|
|
$6.33
|
|
|
$4.15
|
|
|
$3.06
|
|
|
$2.72
|
|
|
$2.44
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
|
Diodos Schottky de SiC 1200V 20A AUTO SIC SBD
- FFSH20120ADN-F085
- onsemi
-
1:
$12.62
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
348En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-FFSH20120ADNF085
|
onsemi
|
Diodos Schottky de SiC 1200V 20A AUTO SIC SBD
|
|
348En existencias
|
|
|
$12.62
|
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|
$8.08
|
|
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$7.09
|
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$6.62
|
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|
Ver
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|
$6.46
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|
Presupuesto
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 95MO
- NTHL095N65S3HF
- onsemi
-
1:
$9.79
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
851En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NTHL095N65S3HF
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 95MO
|
|
851En existencias
|
|
|
$9.79
|
|
|
$5.62
|
|
|
$4.86
|
|
|
$4.48
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
- IKWH40N65EH7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.26
-
438En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IKWH40N65EH7XKSA
|
Infineon Technologies
|
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
|
|
438En existencias
|
|
|
$4.26
|
|
|
$2.98
|
|
|
$2.50
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.94
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24
- UF3C120040K3S
- onsemi
-
1:
$29.38
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
227En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120040K3S
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24
|
|
227En existencias
|
|
|
$29.38
|
|
|
$19.72
|
|
|
$19.32
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247
- UJ3C065030K3S
- onsemi
-
1:
$25.60
-
532En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065030K3S
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247
|
|
532En existencias
|
|
|
$25.60
|
|
|
$16.48
|
|
|
$14.33
|
|
|
$14.32
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
- MSC025SMA120B
- Microchip Technology
-
1:
$40.12
-
121En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-MSC025SMA120B
|
Microchip Technology
|
MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
|
|
121En existencias
|
|
|
$40.12
|
|
|
$36.66
|
|
|
$35.09
|
|
|
$35.07
|
|
|
$30.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
- STW15NK50Z
- STMicroelectronics
-
1:
$5.93
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
820En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW15NK50Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
|
|
820En existencias
|
|
|
$5.93
|
|
|
$3.49
|
|
|
$2.63
|
|
|
$2.39
|
|
|
$2.38
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
- STW21N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$8.79
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
570En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW21N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
|
|
570En existencias
|
|
|
$8.79
|
|
|
$5.12
|
|
|
$4.31
|
|
|
$4.06
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp
- STW26NM50
- STMicroelectronics
-
1:
$12.67
-
693En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW26NM50
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp
|
|
693En existencias
|
|
|
$12.67
|
|
|
$7.95
|
|
|
$6.80
|
|
|
$6.73
|
|
|
$6.04
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH
- STW5NK100Z
- STMicroelectronics
-
1:
$5.66
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,026En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW5NK100Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH
|
|
1,026En existencias
|
|
|
$5.66
|
|
|
$3.18
|
|
|
$2.63
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.28
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET
- STW65N60DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$8.40
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
478En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N60DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET
|
|
478En existencias
|
|
|
$8.40
|
|
|
$5.71
|
|
|
$4.19
|
|
|
$3.48
|
|
|
$3.34
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long le
- STWA40N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$12.55
-
548En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA40N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long le
|
|
548En existencias
|
|
|
$12.55
|
|
|
$9.40
|
|
|
$8.27
|
|
|
$7.61
|
|
|
$7.60
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
- FCH072N60
- onsemi
-
1:
$10.98
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
298En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCH072N60
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
|
|
298En existencias
|
|
|
$10.98
|
|
|
$6.55
|
|
|
$5.57
|
|
|
$5.20
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs 650V FS Trench IGBT Gen3
- FGY120T65SPD-F085
- onsemi
-
1:
$16.26
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
296En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FGY120T65SPDF085
|
onsemi
|
IGBTs 650V FS Trench IGBT Gen3
|
|
296En existencias
|
|
|
$16.26
|
|
|
$9.63
|
|
|
$8.66
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs HOME APPLIANCES
- IKFW60N60DH3EXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.67
-
650En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IKFW60N60DH3EXKS
|
Infineon Technologies
|
IGBTs HOME APPLIANCES
|
|
650En existencias
|
|
|
$9.67
|
|
|
$6.15
|
|
|
$4.93
|
|
|
$4.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
- IXFH34N65X2
- IXYS
-
1:
$10.63
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
639En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH34N65X2
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
|
|
639En existencias
|
|
|
$10.63
|
|
|
$6.11
|
|
|
$5.64
|
|
|
$5.59
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
- IXFX80N50Q3
- IXYS
-
1:
$39.66
-
710En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFX80N50Q3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
|
|
710En existencias
|
|
|
$39.66
|
|
|
$29.38
|
|
|
$27.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
- IXFX80N60P3
- IXYS
-
1:
$24.22
-
207En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFX80N60P3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
|
|
207En existencias
|
|
|
$24.22
|
|
|
$15.39
|
|
|
$15.35
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22 Amps 500V 0.27 Ohm Rds
- IXTH22N50P
- IXYS
-
1:
$8.67
-
568En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH22N50P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22 Amps 500V 0.27 Ohm Rds
|
|
568En existencias
|
|
|
$8.67
|
|
|
$5.05
|
|
|
$4.24
|
|
|
$4.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 2KV 3A N-CH HIVOLT
- IXTH3N200P3HV
- IXYS
-
1:
$37.91
-
196En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH3N200P3HV
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 2KV 3A N-CH HIVOLT
|
|
196En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
- IXYX110N120B4
- IXYS
-
1:
$28.10
-
1,403En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXYX110N120B4
|
IXYS
|
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
|
|
1,403En existencias
|
|
|
$28.10
|
|
|
$21.00
|
|
|
$18.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 24A N-CH MOSFET
- R6024KNZ4C13
- ROHM Semiconductor
-
1:
$5.72
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,156En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6024KNZ4C13
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 24A N-CH MOSFET
|
|
1,156En existencias
|
|
|
$5.72
|
|
|
$4.28
|
|
|
$3.86
|
|
|
$3.62
|
|
|
$3.26
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
- R6035ENZ4C13
- ROHM Semiconductor
-
1:
$8.56
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
399En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6035ENZ4C13
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
|
|
399En existencias
|
|
|
$8.56
|
|
|
$4.96
|
|
|
$4.63
|
|
|
$4.60
|
|
|
$4.35
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|